成果名稱

原子層沉積系統(tǒng)

單位名稱

中科院物理研究所

聯(lián)系人

郇慶

聯(lián)系郵箱

qhuan_uci@yahoo.com

成果成熟度

□正在研發(fā) √已有樣機(jī) ?□通過(guò)小試 ?□通過(guò)中試 □可以量產(chǎn)

合作方式

√技術(shù)轉(zhuǎn)讓 ? √技術(shù)入股 ? □合作開發(fā)? √其他

成果簡(jiǎn)介：
? ?

?

? ? 原子層沉積（ALD）技術(shù)，由于采取自限性的生長(zhǎng)模式，因此可以在原子尺度上調(diào)控沉積薄膜的厚度，從而形成具有優(yōu)異的臺(tái)階覆蓋性和平整性，并可用于制備高深寬比材料和對(duì)多孔納米材料進(jìn)行修飾。我們自行研制的ALD系統(tǒng)與市場(chǎng)上現(xiàn)有商業(yè)化產(chǎn)品相比，具有如下特點(diǎn)：1）復(fù)雜完善的管路氣路，在自制控制器和軟件的配合下，可高度自動(dòng)化完成生長(zhǎng)過(guò)程；2）全金屬密封，適于各種類型反應(yīng)；3）圓筒型反應(yīng)腔體，最高烘烤溫度達(dá)到350℃，前驅(qū)體及載氣利用率高；4）特殊設(shè)計(jì)的樣品臺(tái)，適用于包括粉末樣品在內(nèi)的各類基底；5）可選配四極質(zhì)譜和石英膜厚檢測(cè)儀，對(duì)反應(yīng)過(guò)程實(shí)時(shí)監(jiān)控。

應(yīng)用前景：
? ? ?ALD是一項(xiàng)簡(jiǎn)單和實(shí)用的技術(shù)，在微電子、太陽(yáng)能電池、光子晶體以及催化等許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。我們目前研發(fā)的系統(tǒng)主要針對(duì)科研應(yīng)用，國(guó)內(nèi)每年需求量在數(shù)十臺(tái)至上百臺(tái)。