ic芯片解密，對于大家來說，既神秘又陌生，大部份人在網(wǎng)上搜到的，只是些基本的概念，芯片解密大概怎么一回事。今我們天就來跟大家分享芯片破解的的實際操作方法。

封裝好的芯片，經(jīng)測試需將兩條線路連接進行功能測試，此時可利用聚焦離子束系統(tǒng)將器件上層的鈍化層打開，露出需要連接的兩個金屬導(dǎo)線，利用離子束沉積Pt材料，從而將兩條導(dǎo)線連接在一起，由此可大大縮短芯片的開發(fā)時間。這也是芯片破解常用的手法。

在破解芯片的實際操作中，以線路修補和布局驗證這一類的工作具有Z大經(jīng)濟效益，局部的線路修改可省略重作光罩和初次試作的研發(fā)成本,這樣的運作模式對縮短研發(fā)到量產(chǎn)的時程有效，同時節(jié)省大量研發(fā)費用。

那么實際的破解操作又是怎樣的呢？接下來，我就來跟大家一步步說明：

利用聚焦離子束可進行芯片線路修改

(A)、(B)將欲連接線路上的鈍化層打開，(C)沉積Pt材料將兩個線路連接起來。

聚焦離子束被應(yīng)用于修改芯片線路其實只是其功能之一，這里介紹一下另幾個功能：

樣品原位加工

可以想象，聚焦離子束就像一把只有數(shù)十納米的手術(shù)刀。離子束在靶材表面產(chǎn)生的二次電子成像具有納米級別的顯微分辨能力，所以聚焦離子束系統(tǒng)相當于一個可以在高倍顯微鏡下操作的微加工臺，它可以用來在任何一個部位濺射剝離或沉積材料。

圖1是使用聚焦離子束系統(tǒng)篆刻的數(shù)字；圖2則是在一個納米帶上加工的陣列孔；圖3是為加工的橫向存儲器單元陣列。

原位電性能測試

微操縱儀(KleindiekNanotechnikMM3A)具有納米級的步進精度，X軸和Y軸的轉(zhuǎn)動量為120度，于水平進退（X軸）、水平轉(zhuǎn)動（Y軸）以及垂直轉(zhuǎn)動（Z軸）方向，的位移精度分別為2、2.5、0.2nm。MM3A微操縱儀由壓電馬達、針尖組件、控制單元和外圍支架組成。壓電馬達由定子和滑塊組成。壓電馬達由伸長量為1um的壓電陶瓷實現(xiàn)高精度位移，馬達驅(qū)動電壓為-80v~+80v，驅(qū)動模式分為精調(diào)模式和粗調(diào)模式各三檔，采用一個12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器，將X、Y和Z方向的步進分成4096步，從而實現(xiàn)納米級的精確位移。本系統(tǒng)Z多可獨立加載三路電壓。

說明一下：這里的探針也是常用的芯片解密用工具之一。至于復(fù)雜的探針組如何用來芯片解密，那就是技術(shù)上的事了。點到為止。

透射(TEM)制樣

無論是透射電鏡還是掃描透射電鏡樣品都需要制備非常薄的樣品，以便電子能夠穿透樣品，形成電子衍射圖像。傳統(tǒng)的制備TEM樣品的方法是機械切片研磨，用這種方法只能分析大面積樣品。采用聚焦離子束則可以對樣品的某一局部切片進行觀察。與切割橫截面的方法一樣，制作TEM樣品是利用聚焦離子束從前后兩個方向加工，Z后在中間留下一個薄的區(qū)域作為TEM觀察的樣品。下面TEM制樣的工藝過程圖解。

剖面制備觀察

由于涉及工藝較多且繁雜，半導(dǎo)體、微電子以及各型功能器件領(lǐng)域中，一種元器件的開發(fā)測試總會遇到實際結(jié)果與設(shè)計指標的偏差，器件測試后的失效，邏輯功能的異常等等，對于上述問題的直觀可靠的分析就是制備相應(yīng)的器件剖面，從物理層次直觀的表征造成器件異常的原因。

沉積材料誘導(dǎo)

利用電子束或離子束將金屬有機氣體化合物分解，從而可在樣品的特定區(qū)域進行材料沉積。本系統(tǒng)可供沉積的材料有：SiO2、Pt、W。沉積的圖形有點陣，直線等，利用系統(tǒng)沉積金屬材料的功能，可對器件電路進行相應(yīng)的修改，更改電路功能。

這就是芯片解密常用的一些工具，把這些介紹給大家，是希望大家對芯片解密這一技術(shù)有一個比較清晰的了解，而不是單純的字面意思，謝謝！

2018-05-02 11116次