據(jù)報道，2016年7月4日，英國牛津儀器公司利用其納米實驗室納米級生長系統(tǒng)，啟動了二硫化鉬生長工藝研究。

　　單層硫化鉬是一種直接帶隙半導(dǎo)體材料，在光電領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，如發(fā)光二級光、光伏電池、光探測器、生物傳感器等，而多層二硫化鉬是一種非直接帶隙半導(dǎo)體，有望用于未來的數(shù)字電子技術(shù)。

　　牛津儀器公司表示，該公司已經(jīng)開展了廣泛的研究，對化學(xué)氣相淀積工藝進(jìn)行了優(yōu)化，開發(fā)了納米實驗室系統(tǒng)，這一系統(tǒng)能夠處理廣泛領(lǐng)域的液態(tài)/固態(tài)/金屬-有機(jī)材料，適用于二維材料生長。該系統(tǒng)能夠提供在藍(lán)寶石、原子層淀積鋁(氧化鋁和氧化硅)等各種襯底上生長的能力，也能夠淀積硫化鎢、二硫化鉬等二維過渡金屬硫化物。

　　該工藝的開發(fā)及其已經(jīng)經(jīng)過驗證的成果極度令人振奮，因為納米實驗室等離子處理系統(tǒng)的二維材料處理能力進(jìn)入到了一個新階段。拉曼分析表明了單層材料的高品質(zhì)，原子力顯微鏡表明了薄膜的平滑和一致性。該公司期待二維材料生長工藝的開發(fā)，將推動下一代納米電子器件的開發(fā)。