能實際應(yīng)用的理想二維Rashba電子氣（幾乎所有的傳導(dǎo)電子占據(jù)Rashba帶）是應(yīng)用半導(dǎo)體自旋電子的關(guān)鍵。研究證實，這樣帶有大Rashba劈裂的理想二維Rashba電子氣可以在拓?fù)浣^緣體Bi2Se3薄膜上實現(xiàn)，該薄膜可在過渡金屬硫化物MoTe2基板上按第一性原理計算結(jié)果指導(dǎo)生長得到。研究結(jié)果顯示，Rashba帶專處于MoTe2半導(dǎo)體帶隙中一個較大的、約0.6? eV費米能級間隔中。如此寬幅的理想二維Rashba電子氣具有大的自旋分裂，為實際利用Rashba效應(yīng)提供了可能，之前從未做到。由于強自旋-軌道耦合，其Rashba分裂強度與重金屬（如Au和Bi）表面的差不多，所引起的自旋進動距離小到10 nm左右。近Γ點的內(nèi)（外）Rashba帶平面內(nèi)自旋極化最大約為70%（60%）。室溫下相干距離至少數(shù)倍于自旋進動長度，為采用自旋加工設(shè)備提供了良好的一致性。這種二維拓?fù)浣^緣體/過渡金屬硫化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的理想Rashba帶，具有能量范圍寬、自旋進動長度短、相干距離長的特點，為室溫下制造超薄納米自旋電子器件（如Datta–Das自旋晶體管）鋪平了道路。

該研究通過計算揭示了納米自旋電子晶體管在室溫下工作的可能性。來自中國臺灣清華大學(xué)的T. H. Wang和H. T. Jeng通過第一性原理計算，證實了一種理想的二維電子氣（半導(dǎo)體自旋電子實現(xiàn)應(yīng)用的關(guān)鍵）可在硒化鉍超薄膜絕緣體中實現(xiàn)，該超薄膜用半導(dǎo)體MoTe2作襯底、在室溫下生長即可制備。超薄器件中形成的二維電子氣表現(xiàn)出大的“自旋分裂”（兩種狀態(tài)的電子自旋間的分離），這正是晶體管之類的設(shè)備所需要的特性。采用電子自旋的電子器件來處理信息，用的是電子固有的自旋特性，而不象目前常規(guī)電子器件那樣用的是電子的電荷特性。這會使設(shè)備在更小的空間內(nèi)存儲更多的數(shù)據(jù)，消耗更少的電能，使用更便宜的材料。據(jù)巨納集團低維材料在線91cailiao.cn的技術(shù)工程師Ronnie介紹，異質(zhì)結(jié)構(gòu)是現(xiàn)在的研究熱點,Bi2Se3/MoTe2異質(zhì)結(jié)構(gòu),使得一種理想的二維電子氣（半導(dǎo)體自旋電子實現(xiàn)應(yīng)用的關(guān)鍵）可在硒化鉍超薄膜絕緣體中實現(xiàn)，該超薄膜用半導(dǎo)體MoTe2作襯底,在室溫下生長即可制備。