集成電路制造微加工質(zhì)量檢測工業(yè)立體顯微鏡

  當(dāng)一組光刻掩膜版提交給集成電路制造商時(shí)，微加工的過程
就開始了。光刻掩模版是所要制造的集成電路設(shè)計(jì)的物理表示，滿
足一定的布局布線規(guī)則。硅晶圓提供了集成電路的基底。晶圓的加
工采用了磨削工藝，以產(chǎn)生平坦的表面，此時(shí)的晶圓仍具有導(dǎo)電性
。晶圓的絕緣通過在表面生成一層絕緣的熱氧化物來實(shí)現(xiàn)。淀積的
導(dǎo)電層用于形成晶體管。在絕緣層和導(dǎo)電層淀積方面，已經(jīng)開發(fā)了
若干種技術(shù)，例如濺射、基于磁控濺射的物理氣相淀積、化學(xué)氣相
淀積(CVD)，以及利用金屬氧化物CVD、分子束外延和化學(xué)束外延等
方法實(shí)現(xiàn)的外延層生長。導(dǎo)電層被劃分為單獨(dú)的電阻。

  利用光刻技術(shù)將獨(dú)立的電阻淀積到晶圓上。要最終形成集成電
路還需要進(jìn)一步的處理，在這步處理中，可運(yùn)用諸如圖形轉(zhuǎn)移、刻
蝕、淀積和生長等工藝方法。正是這些方法，還被用來制作多種多
樣的、由硅基材料構(gòu)成的微米級產(chǎn)品，服務(wù)于集成電路之外的諸多
應(yīng)用。

微米加工

集成電路制造傳統(tǒng)上所采用的微米加工方法可以被歸入機(jī)加丁下藝
標(biāo)準(zhǔn)微機(jī)械加工工藝流程?；竟に嚥僮鳎鹤畛鯇σr底進(jìn)行清洗，
運(yùn)用多種淀積技術(shù)覆以薄膜，運(yùn)用光刻技術(shù)在其上制作掩膜，以刻
蝕工藝來形成所需要的微米尺度的圖形，用化學(xué)腐蝕或者等離子體
刻蝕除去掩膜材料，最終對所生成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行特性測量。

  微米尺度上的加工由添加、倍增和去除三個基本階段構(gòu)成。添
加階段是在襯底材料上涂覆一層薄膜。這可以采用在襯底上電鍍或
者向襯底噴涂一層液體膜并使之干燥的辦法來實(shí)現(xiàn)；也可以通過氧
化或者在大氣室內(nèi)涂層來形成薄膜。其他的方法包括：以熔融鍵合
工藝將固體材料固定到襯底上，或者利用低壓及高壓真空技術(shù)來將
薄的涂層粘貼到襯底上。圖形的倍增復(fù)制也具有多種形式，在制備
微米級尺寸結(jié)構(gòu)特別是在制造微／納米流體器件的管道狀結(jié)構(gòu)時(shí)是
必不可少的工藝步驟

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