近日，德國(guó)SciDre高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐（HKZ系列）分別在中國(guó)科學(xué)院固體物理研究所和南昌大學(xué)順利完成了安裝調(diào)試。

光學(xué)浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)工藝具有無(wú)需坩堝、無(wú)污染、生長(zhǎng)快速、易于實(shí)時(shí)觀察晶體生長(zhǎng)狀態(tài)等諸多優(yōu)點(diǎn)，有利于縮短晶體的研究周期并加快難以生長(zhǎng)晶體的研究進(jìn)展，非常適合晶體生長(zhǎng)研究，近年來(lái)備受關(guān)注，現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于各種超導(dǎo)材料、介電和磁性材料以及其它各種氧化物及金屬間化合物的單晶生長(zhǎng)。?

圖1：現(xiàn)場(chǎng)安裝培訓(xùn)?

圖2：現(xiàn)場(chǎng)安裝培訓(xùn)?

目前，高熔點(diǎn)、易揮發(fā)性材料的浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)是一大棘手問(wèn)題，德國(guó)SciDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐成功地克服了這一技術(shù)難題。HKZ可提供最高達(dá)3000℃以上的生長(zhǎng)溫度，晶體生長(zhǎng)腔最大壓力可達(dá)300bar。HKZ的誕生進(jìn)一步優(yōu)化了光學(xué)浮區(qū)法單晶爐的生長(zhǎng)工藝條件，使得高熔點(diǎn)、易揮發(fā)性材料的單晶生長(zhǎng)成為了可能。

圖3：德國(guó)SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐

德國(guó)SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐技術(shù)特色：
◆? 能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)最高壓力300bar大氣壓（選配）和最高溫度>3000℃（選配）；
◆? 能夠分別獨(dú)立控制不同氣體的流速和流量，能夠?qū)崿F(xiàn)樣品生長(zhǎng)的氣體定速定量混合反應(yīng)；
◆? 在保持燈泡輸出功率恒定的情況下，采用調(diào)節(jié)光闌（shutter）的方式對(duì)熔區(qū)進(jìn)行控溫，從而能夠有效延長(zhǎng)燈泡使用壽命；
◆? 能夠針對(duì)不同溫度需求采用不同功率的燈泡，從而對(duì)燈泡進(jìn)行有效利用，最大化燈泡使用效率和壽命；

◆? 擁有豐富的功能選件可進(jìn)行選擇和拓展，包括專(zhuān)利熔區(qū)紅外測(cè)溫選件、最高1×10-5mbar的高級(jí)真空選件、實(shí)現(xiàn)氧含量達(dá)10-12PPM的氣體除雜選件、對(duì)長(zhǎng)成的單晶可提供高壓氧環(huán)境退火裝置選件。

圖4：德國(guó)SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐原理示意圖?

Quantum Design 團(tuán)隊(duì)在中國(guó)科學(xué)院固體物理研究所和南昌大學(xué)進(jìn)行的德國(guó)SciDre高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐（HKZ系列）的安裝調(diào)試工作受到了客戶(hù)和制造商的一致好評(píng)。我們也祝愿廣大Quantum Design用戶(hù)科研順利！