2021年6月3日下午，《碳化硅晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法 KOH腐蝕結(jié)合圖像識(shí)別法》、《碳化硅襯底基平面彎曲的測(cè)定 高分辨X射線衍射法》兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)工作會(huì)成功召開(kāi)。與會(huì)人員圍繞標(biāo)準(zhǔn)草案的范圍、術(shù)語(yǔ)與定義、試驗(yàn)方法等內(nèi)容進(jìn)行充分討論，并提出了諸多修改意見(jiàn)。

來(lái)自廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、山東大學(xué)、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司、浙江博藍(lán)特半導(dǎo)體科技股份有限公司、國(guó)宏中宇科技發(fā)展有限公司等單位的多位專家參加了會(huì)議。

對(duì)位錯(cuò)缺陷進(jìn)行有效的表征與分析對(duì)單晶工藝及外延工藝改進(jìn)優(yōu)化進(jìn)而提高器件性能至關(guān)重要。位錯(cuò)具有隨機(jī)分布且密度量級(jí)大的特征，隨著單晶尺寸的增大，人工統(tǒng)計(jì)位錯(cuò)密度的困難增加，過(guò)少的統(tǒng)計(jì)區(qū)域則又無(wú)法代表整個(gè)晶片的位錯(cuò)密度，《碳化硅晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法 KOH腐蝕結(jié)合圖像識(shí)別法》規(guī)定了用化學(xué)擇優(yōu)腐蝕結(jié)合圖像識(shí)別法檢測(cè)碳化硅晶片中位錯(cuò)密度，適用于4H及6H-SiC晶片材料中位錯(cuò)檢測(cè)及其密度統(tǒng)計(jì)。對(duì)于碳化硅材料只有掌握了基平面彎曲的特性，才能夠深入了解基平面彎曲產(chǎn)生的原因，提供單晶生長(zhǎng)條件優(yōu)化的方向，進(jìn)而提升單晶質(zhì)量?！短蓟枰r底基平面彎曲的測(cè)定 高分辨X射線衍射法》適用于正向及偏向的6H和4H-SiC單晶襯底中基平面彎曲的檢測(cè)，填補(bǔ)我國(guó)以高分辨X射線衍射法表征SiC單晶片的晶面彎曲特性領(lǐng)域的空白。