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SSEC 3300前傳制程濕法工藝設備

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放大字體  縮小字體    發(fā)布日期:2021-01-27  來源:儀器網(wǎng)  作者:Mr liao  瀏覽次數(shù):57
核心提示:SSEC 3300系列晶圓濕法工藝設備SSEC的3300系列單片式晶圓清洗和處理工藝設備所呈現(xiàn)的技術,不但可以達到你今天的生產(chǎn)目標,并且可以滿足未來多年以后要求.已經(jīng)具有44年歷史的SSEC公司已經(jīng)成長為一個垂直整合技術的組織,可以滿足你在

SSEC 3300系列晶圓濕法工藝設備

SSEC的3300系列單片式晶圓清洗和處理工藝設備所呈現(xiàn)的技術,不但可以達到你今天的生產(chǎn)目標,并且可以滿足未來多年以后要求.
已經(jīng)具有44年歷史的SSEC公司已經(jīng)成長為一個垂直整合技術的組織,可以滿足你在單片晶圓濕法處理系統(tǒng)的各種需求。 系統(tǒng)是根據(jù)由內(nèi)而外的標準設計的,現(xiàn)成的擱架功能。這樣的集成技術方法能夠使一個靈活的平臺,可以準確的配置客戶的需求??蛻舻靡嬗谧畹偷馁徶贸杀?、最小的占地面積、最少的物料和資源使用。

SSEC公司的3300系統(tǒng)可以完全按照客戶的工藝和生產(chǎn)要求配置,利用成熟的技術。無論你的工藝需要多步或帶有濕晶片的傳輸串行工藝、還是并行工藝,SSEC都有完整的方案來滿足你的需求。標準的系統(tǒng)可以提供1個到12個工藝站。
SSEC公司專注于濕法工藝設備開發(fā),基于工藝研發(fā)實驗室開發(fā)滿足您濕法工藝方面所需系列工藝設備。包括SSEC公司3300系列機臺用于清洗、刻蝕、剝離以及顯影的工藝開發(fā)。
 
特點:
* 高良品率,具有領先技術的高性能的加工工藝能夠與你一同成長.
* 高可靠性的系統(tǒng),配置了常用的生產(chǎn)模塊.
* 低購置成本,包括單位占地面積的最高產(chǎn)量.
* 所有系統(tǒng)符合SEMI S2-0706E安全標準,SEMI S8-0705E人體工程學標準,以及ETL和CE要求.
* 我們所有系統(tǒng)在數(shù)字化方面的支持和設計都向后兼容電子系統(tǒng)和軟件.

 

鑄造工藝腔室
性能優(yōu)越并且多年無故障運行,所有 SSEC公司的旋轉工藝腔室都是鑄造的。最終的設備每一個腔室都是特別配置的,都會完成壓力測試。標準配置用于水清洗、加熱溶液、濕法刻蝕,并且提供惰性環(huán)境。

超凈化工藝腔室
對于垂直疊加配置的清洗室可以是密封的或開放的 ,直接在ULPA過濾和空氣離子發(fā)生器下面。所有腔室空氣補充都是有電子監(jiān)控的,并且可以由獨立的工藝步驟控制。

濕法刻蝕工藝腔室
濕法刻蝕工藝腔室可以密封用于噴霧刻蝕和垂直疊加配置。敞開的刻蝕腔是直接配置在ULPA過濾和空氣離子發(fā)生器下面用于關鍵的刻蝕應用。排氣流量和腔室的溫度有電子監(jiān)控。所有帶有SSEC的WaferChek系統(tǒng)配置的濕法刻蝕腔室均可用于原地的自適應工藝控制。

惰性氣體溶液工藝腔室
對于加熱溶液工藝,惰性環(huán)境腔室是完全密封的并且回填氮氣。 氮氣環(huán)境可以降低溶液的暴露并延長再循環(huán)溶液壽命,是為了最低的運行成本。


清潔工藝
99% 顆粒去除效率
無損傷清潔

SSEC清潔工藝設備配置提供了機械和化學清潔工具的選擇以 達到最大的顆粒去除效率。機載的閉環(huán)體積化學混合允許根據(jù)清洗程序和限制條件編輯稀釋化學溶液,達到有限的刻蝕要求。
這些系統(tǒng)符合半導體國際技術發(fā)展路線圖的規(guī)定,達到清潔表面同時控制材料損失和表面損傷。


全面的清潔工具

SSEC技術已經(jīng)是經(jīng)過證明的, 有效的清潔工具:
* 高速噴射實時控制化學溶液液滴尺寸和速度,用于88、65和45nm溝槽和超微顆粒的清潔。
* 單面旋轉PVA海綿刷,通過穿透刷子的化學試劑進行清潔, 并實時對整個晶圓表面通過嵌入式傳感器上的反饋進行壓力控制。標準的刷盤利用伺服驅動旋轉裝置,最高達1,000 RPM。
* 獲得專利的,雙面PVA海綿刷,通過穿透刷子的化學試劑分配進行清潔,刷子擠注壓力可編程,RPM旋轉控制用于三面清潔。
* 新型帶有三角石英換能器的三音速單晶圓超聲波清洗,每一個都具有能量反饋,用于高能量的可編輯的工作周期,以及用于無損清洗的短工作周期。
* 排除邊緣接觸主軸工具用于雙面清洗。氣密主軸工具用于單面清洗。

 

具有程序驅動化學混合液的先進的清潔

機載電腦編程使用點的化學混合,SSEC的3300工藝設備運用清洗方案的全部工藝控制進行最稀的溶液和最低的刻蝕率。這些系統(tǒng)頻繁的使用比在制造商處預混合溶液得到更精確的稀釋溶液, 無論是濃縮的或混合為百萬分之幾。
SSEC提供各種各樣的閉環(huán),根據(jù)應用選擇的容積化學混合系統(tǒng)。1:1:100 溶液到濃縮溶液的混合,SC-1都可以提供標準系統(tǒng),在線注入系統(tǒng)實時注入化學試劑流量可以最小到0.1ml的增量,都是標準的特氟隆可浸濕表面。

 

原位工藝后清潔

原位刻蝕后清潔實現(xiàn)了無化學交叉污染。SSEC在專利申請中的 “化學品收集環(huán)”在當不需要收集化學品用于再循環(huán)使用時是機械關閉密封的。再循環(huán)方案的完整性是為了保持最潔凈的結果、最長的壽命、最低的成本。


刻蝕處理

統(tǒng)一的、選擇性濕法刻蝕

SSEC的單片晶圓濕法刻蝕技術使統(tǒng)一的選擇性刻蝕在多工藝等級上成為可能,沒有交叉污染。刻蝕一致性優(yōu)于通常的  1% 。無論是用于先進的封裝或是BEO濕法刻蝕,SSEC的3300系統(tǒng)都將為你提供以最低生產(chǎn)成本實現(xiàn)最高良品率工藝。
當你需要在活躍面、背面、和/或斜面的區(qū)域刻蝕結構或薄膜時,對于你的工藝,SSEC的3300系統(tǒng)都有已經(jīng)證明過的技術方案。計算機編程,程序驅動化學溶液流率、噴射壓力、溫度、和化學配方都是標準的。每一個腔體可以配置排水通道,這包括SSEC公司獨有的原位化學收集環(huán)(專利申請中),不需要特殊的旋轉速度或排放。每一個工藝腔體可以配置多個排水路徑,包括多個化學循環(huán)系統(tǒng)。

 

WaferChek原位自適應過程控制

SSEC公司的每一站都包含WaferChek 原位過程監(jiān)視器,這個監(jiān)視器結合了一個彩色CCD和軟件,可以分析全彩色光譜來確??涛g條件對于每一個獨立的晶圓都是重復的。無論是化學濃度、溫度、晶圓來料特性有波動時,自適應過程控制保持了相同的輸出。以實際的工藝數(shù)據(jù)為基礎,確保你的晶圓被正確的刻蝕。

 

晶圓背面處理
SSEC單片式晶圓設備對晶圓單面處理時,可以對另一面進行防止溶液、蒸汽和化學接觸的全面保護。應用包括活躍面濕法刻蝕、背面薄膜去除、斜面清潔和晶圓減薄。

單面氣密封主軸工具是根據(jù)應用需要來配置的。對于背面和斜面清潔 ,專用尺寸的工具是用于沒有有效區(qū)域接觸而配置的。對于活躍表面的刻蝕和晶圓減薄,能夠配置用于多種晶圓尺寸的氣密封主軸工具以及晶圓尺寸軟件選擇,使用SSEC的視覺處理用于晶圓對正。
根據(jù)應用來配置用于晶圓背面處理的自動化方案。對于背面清洗,會配置活躍邊緣抓緊裝置。對于薄晶圓的減薄,利用帶有特別的支撐配置真空傳送裝置。


剝離處理

干入/干出浸入和單晶圓溶液處理

SSEC獨特的浸入和單晶圓噴射技術的結合使得設備更可靠,能經(jīng)濟的使用存儲的溶液,符合SEMI安全規(guī)定,干入/干出溶液處理器。帶有分開的管道系統(tǒng)用于浸入和噴射站,在工藝站之間溶液浸濕晶圓的傳送,僅僅使用很少量的溶液就可以獲得卓越的剝離和清潔工藝的結果。

 

最好的兩種溶液技術的結合

滿足安全和經(jīng)濟的溶液處理需要:

* 在氮氣保護浸入模塊兒中浸入溶液處理具有獨立的晶圓時間控制;分開的溶液循環(huán)和溫度控制。
* 單片晶圓溶液處理在氮氣保護模塊兒中具有可編輯的上面和下面的分配器;分開的溶液循環(huán)和溫度控制。
* 單晶圓溶液分配,包括高壓風扇和針嘴噴射、高速度噴射擦洗、尼龍毛刷擦洗、超聲波擦洗、完整的可編輯的表面覆蓋。

 

高壓流量控制
 
超聲波擦洗,完整的可編輯的表面覆蓋。
* 機械手被設計用來傳送溶液浸濕的晶圓,精密度傳送裝置用于濕的或干的晶圓。
* 單獨的最終清潔系統(tǒng),IPA沖洗DI沖洗的原位分離,干燥處理。
* 符合干入/干出的要求,符合 SEMI S2-0706E安全和CE規(guī)定。

 

鍍層和生長加工

光刻集群應用-規(guī)格

使用標準的成型組件,SSEC配置的鍍層和生長工藝設備來精確地滿足你的工藝和生產(chǎn)需求。無論你需要的是單獨地鍍層工藝設備還是鍍層和生長工藝設備一體,SSEC提供的機械手按照你程序定義的各種順序來操作。

* 實時主軸馬達控制,包括加速率和主軸速度用于均一的膜厚控制。
* 視覺系統(tǒng)用于清潔、非接觸式晶圓對正。
* 電腦界面控制尺寸更改;不需要更換工具。
* 容積泵根據(jù)各工藝步驟包括噴淋、吸收和填裝來控制馬達的過速、加速和減速。
* 尖銳的易碎的EBR處理精密的機動的噴淋、高度和位置控制。
* 涂料器杯帶有可編輯的氣流控制和杯的EBR噴霧清潔。

 

單片晶圓生長加工

SSEC生長工藝設備能夠根據(jù)你的光刻膠厚度和生產(chǎn)需求進行擴展,從單一模塊兒到12個模塊兒的系統(tǒng)。單晶圓加工溫度一致性 0.1 °C,單發(fā)分流和噴霧處理,這些系統(tǒng)將滿足你的CD一致性需要。
要降低成本,必須發(fā)展化學再循環(huán)使用,SSEC公司的正在申請專利中的收集杯確保高純度的再循環(huán)。研發(fā)者聚焦于體積稀釋的使用方面,并具有流體反饋來保證適合的溶液。SSEC 3300系列晶圓濕法工藝設備信息由北京銳峰先科技術有限公司為您提供,如您想了解更多關于SSEC 3300系列晶圓濕法工藝設備報價、型號、參數(shù)等信息,歡迎來電或留言咨詢。

注:對于醫(yī)療器械類產(chǎn)品,請先查證核實企業(yè)經(jīng)營資質(zhì)和醫(yī)療器械產(chǎn)品注冊證情況

 
 
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