RTP-1200小型真空快速退火爐(RTP/RTA)為韓國進(jìn)口的快速退火爐。

該儀器：尺寸小巧，使用風(fēng)冷、無須水冷，電流要求不高(3安培)，性價(jià)比高，使用方便，非常適合科研院所的科研使用。

技術(shù)規(guī)格：

- 加熱方式：紅外鹵素鎢燈，600W；
- 鹵素紅外燈數(shù)量：4支；

- 最快升溫速率：100℃/秒；

- 最快降溫速率：50秒(1000℃ → 400℃)；

- 最高溫度：1200℃；

- 溫度精度：+/-0.3℃

- 最大樣品尺寸：20 x 20mm；

- 退火環(huán)境：真空、惰性氣體、空氣、其他工藝氣氛(如氧氣、氫氣等)；

- 真空泵及極限壓力：機(jī)械泵，10-3Torr水平(選配)；

- 電壓：220 V，單相；

- 儀器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)；

- 質(zhì)量：凈重30Kg；

儀器特點(diǎn)：

- 可在真空/不同氣氛/空氣不同環(huán)境下，對樣品進(jìn)行快速熱處理；

- 溫控精度高；

- 適合高?；蜓芯克蒲惺褂?；

- 無須額外的冷卻系統(tǒng)；

- 緊湊的臺式設(shè)計(jì)；

- 儀器操作方便，樣片裝取容易；

- 價(jià)格合理，高性價(jià)比；

應(yīng)用領(lǐng)域：

- 快速熱退火 (Rapid Thermal Annea領(lǐng),RTA);

- 快速熱氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);

- 快速熱氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);

- 硅化 (Silicidation);

- 擴(kuò)散 (Diffusion);

- 化合物半導(dǎo)體退火 (Compound Semiconductor Annea領(lǐng));

- 離子注入后退火 (Implant Annea領(lǐng));

- 電極合金化 (Contact Alloying);

- 晶化和致密化 (Crystallization and Densification);

- 合金熔點(diǎn)分析；

- 薄膜沉積；

等等…