2019年12月30日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟發(fā)布《SiC晶片的殘余應(yīng)力檢測(cè)方法》等六項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的公告。

根據(jù)《中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)管理辦法》的相關(guān)規(guī)定，批準(zhǔn)發(fā)布《SiC 晶片的殘余應(yīng)力檢測(cè)方法》、《功率半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)濕熱高壓偏 置試驗(yàn)》、《碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量和微管密度檢測(cè)方法-激光散射檢測(cè)法》、《導(dǎo)電碳化硅單晶片電阻率測(cè)量方法—非接觸渦流法》、《碳化硅單晶拋光片表 面質(zhì)量和微管密度測(cè)試方法——共焦點(diǎn)微分干涉光學(xué)法》、《半絕緣碳化硅單晶 片電阻率非接觸測(cè)量方法》六項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)。上述六項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)自 2019年12月27日發(fā)布，自2019年12月31日起實(shí)施。

附件：關(guān)于批準(zhǔn)發(fā)布SiC晶片的殘余應(yīng)力檢測(cè)方法等六項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的公告1227.pdf