政策標(biāo)準(zhǔn)碳化硅材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體，適合制備高電壓、高功率、高頻和高溫半導(dǎo)體電子器件，在微波通訊、雷達(dá)、電力電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)防建設(shè)也具有重要意義。但是碳化硅中雜質(zhì)元素含量對(duì)碳化硅材料的研制生產(chǎn)起著非常重要的作用，特別是半絕緣碳化硅中氮雜質(zhì)元素的含量是其半絕緣性能的直接判定依據(jù)。
 　　碳化硅中的雜質(zhì)元素對(duì)研制生產(chǎn)起著重要的作用，故而為獲得高純半絕緣特性的碳化硅晶體，必須對(duì)雜質(zhì)進(jìn)行嚴(yán)格的控制。目前雖然許多生產(chǎn)和使用碳化硅材料的企業(yè)都對(duì)碳化硅中雜質(zhì)含量測(cè)試提出了需求，但是尚無(wú)相關(guān)測(cè)試方法的標(biāo)準(zhǔn)或可借鑒的測(cè)試方法。為了改變這一情形，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所起草編制了《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測(cè)量 二次離子質(zhì)譜法》。
 　　《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測(cè)量 二次離子質(zhì)譜法》是按照GB/T 1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則 第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草的，其內(nèi)容包括有范圍、規(guī)范性引用文件、術(shù)語(yǔ)和定義、原理、干擾因素、試驗(yàn)條件、儀器設(shè)備、樣品、試驗(yàn)步驟、試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理、精密度、試驗(yàn)報(bào)告，規(guī)定了碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測(cè)試方法。
 　　閱讀標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿后可知，二次離子質(zhì)譜測(cè)試方法需要用到的儀器設(shè)備是扇形磁場(chǎng)二次離子質(zhì)譜儀，其原理是在高真空條件下，氧或銫離子源產(chǎn)生的一次離子，經(jīng)過(guò)加速、純化、聚焦后，轟擊碳化硅單晶樣品表面，濺射出多種粒子，將其中的離子引出后，通過(guò)質(zhì)譜儀將不同荷質(zhì)比的離子分開(kāi)，記錄并計(jì)算樣品中硼、鋁、氮與硅的離子計(jì)數(shù)率之比后，即可利用相對(duì)靈敏度因子定量分析并計(jì)算出碳化硅單晶中的硼、鋁、氮的含量。
 　　鑒于碳化硅材料重要的戰(zhàn)略地位，在我國(guó)也受到極大的關(guān)注，國(guó)家在碳化硅材料科研及產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化都投入了非常大的力量，近兩年在國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目中都布局了碳化硅專項(xiàng)。目前，《碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測(cè)量 二次離子質(zhì)譜法》正面向社會(huì)征求意見(jiàn)，希望相關(guān)單位能在仔細(xì)研核后提出建設(shè)性意見(jiàn)，為標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)一步完善添磚加瓦。
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