測(cè)量方法特別用于分析金屬薄膜的電阻率-顯微鏡常識(shí)

  應(yīng)用與大試樣相同的方法研究了退火薄膜的變化，即用金相
顯微鏡，X射線照相以及透射電子顯微鏡，并也廣泛使用了某些
特殊方法。例如，電子圖象可給出薄膜結(jié)構(gòu)的信息。而電子物理學(xué)

測(cè)量方法特別用于分析金屬薄膜的電阻率、磁性薄膜的磁性和
半導(dǎo)體薄膜中載流子的濃度和遷移率.選用的特殊分析方法取決

于薄膜的應(yīng)用。此外，性能變化的分析給出缺陷的濃度和類(lèi)型以
及其在回復(fù)和再結(jié)晶過(guò)程中的影響的有價(jià)值的資料。

  由于通過(guò)結(jié)晶獲得的多品休薄膜的晶粒尺寸總是很小的(幾
十~幾百埃)。因此，薄膜再結(jié)晶的早期在X光射線照片上、甚
至在電子圖象上常常不顯示反射點(diǎn)。在這種情況下，再結(jié)晶的開(kāi)
始可以通過(guò)伴隨再結(jié)晶的薄膜織構(gòu)的變化來(lái)確定。

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