近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”，股票代碼：688012）的發(fā)明專利“等離子體處理裝置及調(diào)節(jié)基片邊緣制程速率的方法”榮獲第二十二屆中國專利金獎(jiǎng)。

中國專利金獎(jiǎng)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局與世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織共同組織評選，被公認(rèn)為是我國專利界的最高獎(jiǎng)項(xiàng)。本屆共評選出30項(xiàng)中國專利金獎(jiǎng)，中微公司的發(fā)明專利從眾多參評專利中脫穎而出。

（圖為部分第二十二屆中國專利金獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)項(xiàng)目）

在等離子體刻蝕工藝中，等離子體中心和邊緣分布均勻性至關(guān)重要，直接決定了晶圓整體的刻蝕均勻性。隨著現(xiàn)有技術(shù)對集成電路的尺寸要求越來越小，線寬均勻度要求越來越高。如何提高刻蝕過程中等離子體中心和邊緣的分布均勻性，成為制約芯片刻蝕向更小尺寸發(fā)展的瓶頸問題，是本領(lǐng)域亟需應(yīng)對的挑戰(zhàn)之一。

中微公司的獲獎(jiǎng)專利為芯片刻蝕提供了一種動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)邊緣效應(yīng)的解決方案。通過調(diào)節(jié)等離子體中心和邊緣射頻源的功率和相位差，該方案有效解決了等離子體刻蝕領(lǐng)域控制中心區(qū)域和邊緣區(qū)域等離子體分布均勻性這一關(guān)鍵性技術(shù)難題，為刻蝕設(shè)備更新迭代奠定基礎(chǔ)。

此次是中微公司第二次獲得中國專利金獎(jiǎng)。此前，中微公司的發(fā)明專利“感測和移除被加工半導(dǎo)體工藝件的殘余電荷的系統(tǒng)和方法”于2013年首次榮獲中國專利金獎(jiǎng)。中微公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯博士說道：“中微公司再次榮獲中國專利金獎(jiǎng)，不僅是對中微公司持續(xù)研發(fā)創(chuàng)新的高度肯定，也是對中微公司的專利價(jià)值與知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)工作的認(rèn)可。中微公司將繼續(xù)加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理，嚴(yán)格遵守相關(guān)國家和地區(qū)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)法律法規(guī)，再接再厲、不斷創(chuàng)新和超越，助力集成電路行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。“

關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（證券簡稱：中微公司，證券代碼：688012）致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微公司開發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備，可加工微米級和納米級的各種器件。這些微觀器件是現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，它們正在改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)方式和生活方式。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國際一線客戶從65納米到5納米及更先進(jìn)工藝的眾多刻蝕應(yīng)用，中微公司開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)，目前已在全球氮化鎵基LED MOCVD設(shè)備市場占據(jù)領(lǐng)先地位。