隨著半導體器件、量子器件和材料科學等領域的蓬勃發(fā)展，器件的尺寸變得越來越小、結構越來越復雜，與之相應的微納尺度下的加工精度要求越來越高。聚焦離子束（FIB）系統(tǒng)已成為相關領域的研究中不可或缺的關鍵設備。截止到目前，可商購的FIB系統(tǒng)大都使用液態(tài)金屬或惰性氣體作為離子源，但是采用上述離子源的FIB系統(tǒng)在加工精度，加工速度，維護難度和使用費用等方面很難達到令人滿意的平衡，因此兩者并非FIB系統(tǒng)的理想離子源選擇。

為了解決商用FIB系統(tǒng)中存在的上述問題，2020年，美國zeroK NanoTech公司運用曾獲諾貝爾獎的激光冷卻技術，推出了新一代高精度極低溫銫離子源FIB系統(tǒng)——FIB: ZERO。該系統(tǒng)采用極低溫銫離子源（Cs+ LoTIS），在很大程度上減少了離子的隨機運動，使FIB：ZERO中的離子束斑與傳統(tǒng)離子源產生的束斑相比具有更高的亮度，更小的尺寸，和更低的能量散失。因此，可以獲得更清晰的成像、更高的加工精度和更少的樣品損傷。同時，也顯著降低了維護難度和使用成本。近日，Quantum Design中國正式引進新一代高精度極低溫銫離子源FIB系統(tǒng)，希望能夠幫助我國科學家在半導體器件、量子器件和材料科學等領域有更深入的研究。

新品亮點

1. 更清晰的成像效果，更大的成像景深

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?傳統(tǒng)離子源

新一代極低溫銫離子源

2. 更明顯的對比度

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?傳統(tǒng)離子源

新一代極低溫銫離子源

3.? 更高的加工精度（相同時間）

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4. 更好的加工均勻性（相同時間）

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5. 對樣品小的損傷范圍

Stopping and Range of Ions in Matter（SRIM）模擬不同離子源產生的離子束在硅中的影響范圍

傳統(tǒng)氣體離子源

傳統(tǒng)液態(tài)金屬離子源

新一代極低溫銫離子源