微電子封裝應(yīng)用中-微連接技術(shù)電子顯微鏡

  如果分子納米線主要是較短的結(jié)構(gòu)，其長度很少達(dá)到微米尺度
，而CNT的長度甚至可以達(dá)到毫米尺度，所以CNT同樣適用于微電子
封裝℃NT已經(jīng)用于邏輯電路晶體管器件、場發(fā)射結(jié)構(gòu)和貫通孔等結(jié)
構(gòu)之中。
  納米線和納米管可用硅、GaN等半導(dǎo)體材料制造。由于這些材
料與微電子器件的制造材料相近，納米線和納米管在未來復(fù)雜的微
電子應(yīng)用中將顯得更為重要。近來，人們研究了納米線和納米管的
合成技術(shù)，把它們整合到傳統(tǒng)的平面技術(shù)（例如通過超晶格納米線
造型轉(zhuǎn)化），以及這種整合的應(yīng)用前景。
  除這些材料之外，其他納米線都是由各種氧化物及多元素氧化
物成，如Zn0。當(dāng)這類納米線吸收分析物時，其電導(dǎo)率會發(fā)生變化
，而且這種變化能夠準(zhǔn)確地測量，因此這種納米線對傳感器等應(yīng)用
更為重要。
  在菌苔狀金亞微米線的制備、表征和應(yīng)用等領(lǐng)域的研究成果，
以分享納米封裝研究的激動。它可用于連接通常毫無關(guān)聯(lián)的技術(shù)領(lǐng)
域，如低溫連接、電子器件與生物細(xì)胞的接口技術(shù)。納米線和封裝
研究
  在過去的數(shù)十年中，當(dāng)代微電子應(yīng)用中的可靠性問題已經(jīng)顯著
地拓寬了封裝領(lǐng)域的研究范圍。為了保證現(xiàn)代微電子技術(shù)的持續(xù)發(fā)
展，封裝領(lǐng)域的研究范圍已經(jīng)覆蓋了光電子學(xué)、光波導(dǎo)和光纖合成
、（生物）微流體技術(shù)、連接技術(shù)、熱管理技術(shù)、導(dǎo)線鍵合技術(shù)、
晶圓鍵合技術(shù)、倒裝芯片鍵合技術(shù)i焊接和封裝技術(shù)、箔電池和能
量捕獲技術(shù)、固體的數(shù)學(xué)建模技術(shù)和模擬技術(shù)等領(lǐng)域。這些領(lǐng)域在
此文回顧的許多出版文獻(xiàn)和年度報告中已經(jīng)提及。
  金屬納米線對幾乎每個領(lǐng)域的封裝，都有重要意義，因為與中
尺度材料和體材料相比，它有很多獨特的性質(zhì)。人們已經(jīng)設(shè)想把金
屬納米線作為接口，來實現(xiàn)未來的微電子應(yīng)用向3D納米結(jié)構(gòu)一體化
的發(fā)展

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