納米微米壓痕劃痕測試儀；近場掃描光學顯微鏡；接觸角測量儀；表面張力儀；LB膜分析儀；開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測量)；表面等離子共振譜儀(SPR)；輪廓儀；摩擦計；(顯微)硬度計；磁控濺射儀；熱蒸發(fā)電子束蒸發(fā)沉積；等離子增強氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)；原子層沉積系統(tǒng)(ALD)；快速退火爐；霍爾效應儀；探針臺；光致發(fā)光掃描儀(PL)；橢偏儀；膜厚儀；氣溶膠發(fā)生器，粒徑譜儀，稀釋器；濾料測試系統(tǒng)；煙霧發(fā)生器；空氣示蹤器；zeta電位分析儀；內(nèi)表面粗糙度測量儀；(氙燈)光反應器；太陽模擬器；高壓反應釜；

 科睿設備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd )為多家國外高科技儀器廠家在中國地區(qū)的代理?？祁９疽回灡小赫\信』、『品質(zhì)』、『服務』、『創(chuàng)新』的企業(yè)文化，為廣大中國用戶提供儀器、設備，最周到的技術(shù)、服務和完美的整體解決方案。在科技日新月異、國力飛速發(fā)展的中國，納米科學研究、薄膜材料(包括半導體)生長和表征、表面材料物性分析、生物藥物開發(fā)、有機高分子合成等等領(lǐng)域，都需要與歐美發(fā)達國家完全接軌的儀器設備平臺來實現(xiàn)?？祁ＴO備有限公司有幸成長在這個火熱的年代，我們愿意化為一座橋梁，見證中國科技水平的提升，與中國科技共同飛速成長。
      科睿設備有限公司(Cross-Tech Equipment Co.,Ltd)總部設在中國香港，在中國上海設立了分公司，在國內(nèi)多個城市設立了辦事處或維修站，旨在為客戶提供全方位的產(chǎn)品和服務。2010年，科睿設備有限公司在上海設立備品倉庫及維修中心，同時提供在大陸的各項技術(shù)服務和后期的維修保障服務，我們擁有專業(yè)的應用維修人員，并且都曾到國外廠家進行了專門的培訓。上海配備了多種維修部件，能使我們的服務更加快捷和方便。我們承諾24小時電話響應，72小時內(nèi)趕到現(xiàn)場維修。以利于更好、更快的為中國大陸服務！ 
      因為信任,所以理解.我們理解用戶的困難和需求。我們已經(jīng)為國內(nèi)眾多科研院所和大學根據(jù)用戶的要求配制和提供了上百套系統(tǒng)，主要用戶包括：中科院物理所，中科院半導體所，中科院大連化學物理研究所，國家納米中心，上海納米中心，北京大學，清華大學，中國科技大學，南京大學，復旦大學，上海交通大學，華東理工大學，浙江大學，中山大學，西安交通大學，四川大學，中國工程物理研究院，香港大學，香港城市大學，香港中文大學，香港科技大學等。

深能級瞬態(tài)譜儀1

深能級瞬態(tài)譜儀1（DLTS）
  深能級瞬態(tài)譜（Deep Level Transient Spectroscopy）是半導體領(lǐng)域研究和檢測半導體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導體P-N 結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有極高檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。集成多種全自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。
  Semetrol DLTS集成多種自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽能電池領(lǐng)域中，分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。該儀器測量界面態(tài)速度快，精度高，是生產(chǎn)和科研中可廣為應用的測試技術(shù)．
 
主要特點 :
 自動連線檢測；
 自動電容補償功能；
 探測靈敏度高
 瞬態(tài)電流測量；
 傅里葉轉(zhuǎn)化功能；
 深能級瞬態(tài)譜分析；
 
應用領(lǐng)域 :
檢測Si、ZnO、GaN等半導體材料中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。
 
 
 
Semetrol DLTS系統(tǒng)配置:
- 脈沖發(fā)生器
電壓范圍： 20.4 V ( 102 V opt.)
脈沖寬度：1 s - 1000 s
- 電容測量
高頻信號100 mV @ 1 MHz (20 mV 可選)
電容范圍 [pF] 3, 30, 3000 3000 (自動或手動)
靈敏度 0.01 fF
- 電壓測量：
范圍 10 V
靈敏度 1 V
 
溫度范圍：30K~450K
電阻范圍：0.1 mOhm - 10 GOhm
 
 
 
多種測量模式：
  C-DLTS（電容模式）
  CC-DLTS （定電容模式）
  I-DLTS （電流模式）
  DD-DLTS （雙關(guān)聯(lián)模式）
  Zerbst-DLTS （Zerbst模式）
  O-DLTS （光激發(fā)模式）
  FET-Analysis （FET分析）
  MOS-Analysis （MOS分析）
  ITS (等溫瞬態(tài)譜)
  Trap profiling
  CCSM（俘獲截面測量）
  I/V,I/V(T) （查理森Plot分析）
  C/V, C/V(T)
  TSC/TSCAP
  PITS (光子誘導瞬態(tài)譜)
  DLOS (特殊系統(tǒng)）