稍微熟悉電腦、手機等電子產(chǎn)品的人經(jīng)常會聽說內(nèi)存/內(nèi)存條、閃存、閃存顆粒，那么什么是閃存，什么又是內(nèi)存呢？

我們常說的閃存，就是一個內(nèi)含閃存芯片的存儲器。其實閃存只是一個籠統(tǒng)的稱呼，準確地說它是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM）的俗稱。特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用；而所謂的內(nèi)存，是指揮發(fā)性存儲器，分為SRAMD和RAM這兩類，其中常說的內(nèi)存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。

目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻譯成中文就是 閃動的存儲器 ，通常把它稱作 快閃存儲器 ，簡稱 閃存 芯片。 閃存盤是一種移動存儲產(chǎn)品，可用于存儲任何格式數(shù)據(jù)文件便于隨身攜帶，是個人的“數(shù)據(jù)移動中心”。 閃存盤采用閃存存儲介質（Flash Memory）和通用串行總線（USB）接口，具有便于攜帶、容量較大、輕巧精致、使用方便、安全可靠、時尚潮流等特征，是大家理想的便攜存儲工具。

許多人把閃存和內(nèi)存混為一體，而且很多時候大家都會把閃存卡叫做內(nèi)存卡！實際上是兩個概念，內(nèi)存應該是RAM，一般不會太大256M、512M、1G、2G，閃存是指ROM，現(xiàn)在采用FLASH芯片所以叫閃存，而且閃存式可以用閃存卡擴充的！

閃存是處理運行數(shù)據(jù)的儲存器！內(nèi)存是存儲個人文件的儲存器！

內(nèi)存是直接與CPU 溝通的存儲器，所有的程序都在內(nèi)存中運行，雖然CPU中也有緩存，但是一樓的說了，緩存其實也是一種速度極快的內(nèi)存，它存儲著CPU最最常用的指令。按照一樓的說法，內(nèi)存也是一種概念，所以內(nèi)存有各種：SDRam，DDRRam，DDR2Ram，早期的還有EDORam，他們的通電時可以保相存里的的數(shù)據(jù)狀態(tài)，斷電就全部丟失，但是速度都很快。都是內(nèi)存

閃存芯片也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。

NOR型與NAND型閃存的區(qū)別很大，打個比方說，NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨立的地址線和數(shù)據(jù)線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬盤，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線，類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般，而且NAND型與NOR型閃存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型閃存比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內(nèi)運行，手機就是使用NOR型閃存的大戶，所以手機的“內(nèi)存”容量通常不大；NAND型閃存主要用來存儲資料，我們常用的閃存產(chǎn)品，如閃存盤、數(shù)碼存儲卡都是用NAND型閃存。

閃存概念股包括：

紫光股份(000938)、

同方國芯(002049)、

長電科技(600584)、

太極實業(yè)(600667).

深科技 （000021） 

朗科科技（300042）

現(xiàn)在全球各大閃存芯片廠商正在加緊量產(chǎn)3D NAND，這也是全球閃存芯片廠商必爭的制高點。美光、東芝/西部數(shù)據(jù)（WD SanDisk）、SK海力士，甚至英特爾也加入到3D NAND。

過去三年是固態(tài)硬盤發(fā)展的黃金時期，國產(chǎn)SSD品牌因為技術壁壘、品牌熟知度等問題無法和一線品牌抗衡。但今天各大Flash原廠由于發(fā)力3D Flash技術，導致閃存顆粒嚴重缺貨，價格自然也水漲船高，所以消費者受價格因素影響不得不選擇此類不良固態(tài)硬盤?，F(xiàn)在，中國這樣的SSD品牌高達上百個，亂象叢生。

僅靠貼片、造假，沒有自主產(chǎn)權，這樣的國產(chǎn)SSD品牌能走多遠？我們不得而知。但有一點可以確定，廉價、劣質的國產(chǎn)SSD進一步的降低了消費者對“國產(chǎn)SSD”的信任，這是一種竭澤而漁的商業(yè)模式。

當然，在亂象之中，還是有亮點的。

2018年4月，紫光集團披露了一個振奮人心的好消息：長江存儲的3D NAND閃存已經(jīng)獲得第一筆訂單，總計10776顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品。

紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國在發(fā)言中強調(diào)，國家存儲器基地項目是中國集成電路閃存芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破，相當于中國科技領域的航空母艦。今年底，基地就將實現(xiàn)國產(chǎn)3D閃存的小規(guī)模量產(chǎn)，用不了多久就能看到基于國產(chǎn)閃存的智能手機、SSD固態(tài)硬盤。真是振奮人心

在IC Insights副總裁Brian Matas早期的報告中我們看到，現(xiàn)在中國存儲領域有三個主要的競爭者，分別是：

(1)合肥SKT項目，預估在2017年底建造一個DRMA FAB

(2)2016年7月，紫光集團收購了武漢新芯，并建立了一個叫長江存儲的合資公司。這個12寸晶圓廠將聚焦在3D NAND Flash的生產(chǎn)，至于具體的量產(chǎn)時間，還沒有披露

(3)福建晉華項目，準備打造DRAM Fab，預估在2018年第三季度量產(chǎn)

對于長江存儲來說，首先要做的事就是從三星西安這些公司挖角晶圓廠操作工人。之后可以從三星和SK海力士挖一些高級的工程師。再看能夠從美光和東芝獲取一些相關的技術信息。這是紫光解決問題的方法之一。

上個世紀90年代，三星花費重金從日本招聘DRAM工程師。當時那些工程師可以保留白天的工作，而可以在晚上或者周末為三星服務。通過這些兼職工作，工程師們能獲得高額的報酬。就是通過這種方式，三星逐漸發(fā)展其了其DRAM產(chǎn)業(yè)。

而二十多年后的今日，韓國受到了當初日本的對待。雖然中國并沒有韓國當初那么瘋狂，但沒有什么方法可以組織長江存儲招聘來自西安三星的工程師。

由于數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)設備對閃存存芯片的需求不斷上升，使得科技公司2017年在半導體方面的支出上漲了17％，但由于需求放緩，今年這個熱門市場可能也會有所降溫。

IHS表示，去年全球芯片支出高達2920億美元，因供應商努力滿足對DRAM和NAND閃存的新需求。IHS表示，去年內(nèi)存芯片短缺的問題要歸咎于數(shù)據(jù)中心運營商，后者選擇了全閃存存儲讓客戶能夠更快地訪問大數(shù)據(jù)。

但是，這個行業(yè)今年可能會放緩。IHS表示，預計閃存芯片價格趨穩(wěn)，支出將恢復至個位數(shù)增長。IHS預測：“如果今年這些內(nèi)存組件的供需平衡關系重新建立起來，那么價格可能會回到正?；！?/p>

這一預測與另一家分析公司Gartner最近的一份報告相符。因為中國芯片制造商將在今年增加內(nèi)存的產(chǎn)量。