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干涉光刻

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放大字體  縮小字體    發(fā)布日期:2019-08-31  來源:儀器信息網(wǎng)  作者:Mr liao  瀏覽次數(shù):254
核心提示:什么是干涉光刻干涉光刻,是一種無需用到復雜的光學系統(tǒng)或光掩膜而制備精細結(jié)構(gòu)的技術(shù)。作為一項比較可靠的圖形產(chǎn)生技術(shù),干涉光刻不但在CD控制方面具有很好的表現(xiàn),而且其工藝寬容度與傳統(tǒng)一般相比也較大,還能夠產(chǎn)生具有陡的側(cè)壁、大的深寬比和深亞微米尺寸的抗蝕劑結(jié)構(gòu)陣列圖形,這樣的形狀結(jié)構(gòu)在圖形轉(zhuǎn)移和器件制造過程當中都能夠有非常高效的得到利用。與其他的一般技術(shù)相比較,在大視場內(nèi),干涉光刻能夠非常有效的使每個地方都達到深亞微米、甚至納米級的較高分辨率,而且還具有無限的焦深,這些優(yōu)點都與制作場發(fā)射顯示器的要求相符合。干涉

什么是干涉光刻


干涉光刻,是一種無需用到復雜的光學系統(tǒng)或光掩膜而制備精細結(jié)構(gòu)的技術(shù)。作為一項比較可靠的圖形產(chǎn)生技術(shù),干涉光刻不但在CD控制方面具有很好的表現(xiàn),而且其工藝寬容度與傳統(tǒng)一般相比也較大,還能夠產(chǎn)生具有陡的側(cè)壁、大的深寬比和深亞微米尺寸的抗蝕劑結(jié)構(gòu)陣列圖形,這樣的形狀結(jié)構(gòu)在圖形轉(zhuǎn)移和器件制造過程當中都能夠有非常高效的得到利用。


與其他的一般技術(shù)相比較,在大視場內(nèi),干涉光刻能夠非常有效的使每個地方都達到深亞微米、甚至納米級的較高分辨率,而且還具有無限的焦深,這些優(yōu)點都與制作場發(fā)射顯示器的要求相符合。


干涉光刻技術(shù)原理


干涉光刻技術(shù)(或全息光刻技術(shù))的基本原理與干涉測量法或全息法的原理相似。


兩個及以上的相干光波構(gòu)成的一個干涉圖樣被建立起來并在一個記錄層被記錄(光刻膠)。這個干涉圖樣由周期性序列的條紋組成,這些條紋分別代表最大強度及最小強度。在曝光后的光刻處理過程中,與此強度周期性變化圖樣相對應的光刻膠圖樣就此出現(xiàn)。


對于兩束光波干涉,條紋間距或周期由(λ/2)/sin(θ/2)給出,其中λ為波長、θ為兩束相干光波之間的夾角。從而,能夠達到的最小周期為波長的一半。通過利用三束干涉光波,具有六邊形對稱結(jié)構(gòu)的陣列能夠被制成;而利用四束光波,具有矩形對稱結(jié)構(gòu)的陣列能夠被制成。從而,通過疊加不同光束組合,不同的結(jié)構(gòu)便得以制備出來。


激光干涉光刻技術(shù)


干涉光刻條件要求


要使干涉光刻法能夠順利進行,相干性的要求必須滿足。


首先,必須使用空間相干光源。這實際上是一個結(jié)合了準直透鏡的點光源。激光或同步加速器光束也經(jīng)常被使用以保證在分束前得到統(tǒng)一的波振面。


其次,應優(yōu)先考慮單色的或時域相干的光源。這可直接通過激光實現(xiàn),但采用寬帶寬的光源時需增加濾光片。如果分束器為衍射光柵則對于單色行的要求可以被忽略,原因為不同的波長將被衍射至不同的角度但最終還是會聚集到一起。但即使在這種情況下,空間相干性以及正入射仍然為必要條件。


干涉光刻的優(yōu)缺點及用途


干涉光刻技術(shù)的優(yōu)點是能夠快速的在大面積內(nèi)制備密集的特征結(jié)構(gòu)而不失焦,因此經(jīng)常被用于檢測新型波長刻蝕技術(shù)(如EUV、193nm浸泡等)的光致抗蝕工藝。除此之外,高功率脈沖激光的激光干涉光束基于光熱或光化學機制可以在材料表面直接進行處理(包括金屬、陶瓷及高分子聚合物)。


由于上述特征,這個方法也被叫做“直接激光干涉制紋”(Direct Laser Interference Patterning; DLIP)。利用DLIP,不同的結(jié)構(gòu)能夠在數(shù)秒內(nèi)直接在基底上被制成,得到大面積上的周期性陣列。這樣具有紋路的表面有不同的應用之處,包括摩擦學(對摩擦及磨損的降低)或生物科學。而對于傳統(tǒng)上采用電子束刻蝕需要用時較長的紋路,也可以采用電子干涉刻蝕法快速制成。


干涉光刻法的缺點在于它只能夠被用于制備陣列特征結(jié)構(gòu)。從而,若要繪制任意圖樣的紋路,還需要采用其他光刻蝕技術(shù)。與此同時,非光學效應,如致電離輻射所產(chǎn)生的二級電子,在采用干涉刻蝕法時無法被避免。例如,二級電子范圍可以大概被表面碳污染寬度(約20nm)表征,此污染是由一個聚焦后(2nm)的電子束產(chǎn)生的。這表明,利用刻蝕來得到半間距為20nm或更小的特征結(jié)構(gòu)將會被刻蝕圖樣之外的其他因素嚴重影響到,如真空的潔凈程度。


激光干涉光刻


在現(xiàn)在科技發(fā)展日新月異的今天,現(xiàn)有光刻技術(shù)一般具有比較復雜的曲面光學元件,而新興激光干涉光刻技術(shù)作為現(xiàn)代科學光刻技術(shù)的補充,其設(shè)備并不復雜,系統(tǒng)也相對較為簡單,但有著極高分辨率,其分辨極限已經(jīng)能夠達到λ/4的水平,還具有大焦長深、圖形對比度較高等的諸多優(yōu)點。 


激光干涉光刻技術(shù)定義為通過光的衍射、干涉,將光束用特定的方式組合,達到干涉場內(nèi)光強度的有效調(diào)控,在此種情況下利用感光而產(chǎn)生光刻圖形。


激光干涉光刻技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)過了初級的發(fā)展階段,在很多領(lǐng)域當中都已經(jīng)得到了非常廣泛的應用。經(jīng)過研究,激光干涉光刻技術(shù)已經(jīng)在納米結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)當中得到了廣泛的應用。不論在大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)當中還是在我們每個人的日常生活當中,納米結(jié)構(gòu)都有著非常廣泛的應用,被許多人所熟知的微電子、光電子、生物技術(shù)、傳感技術(shù)等諸多領(lǐng)域的發(fā)展在很大程度上都是取決于納米結(jié)構(gòu)制造技術(shù)的發(fā)展水平。


2018-06-13 11:15:43 472 http://www.yiqi.com/citiao/detail_728.html 熱門標簽:
 
 
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