分子束外延系統(tǒng) 分子束外延系統(tǒng)就是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在溫度保持在幾百度的單晶基片上。分子束外延系統(tǒng)利用分子束外延不僅制取了雙質(zhì)結(jié)激光器、三維介質(zhì)集成光波導(dǎo)，還可以用此法使二種光波導(dǎo)重疊地生長在同一基片上，制成了從一個波導(dǎo)移向另一個波導(dǎo)的錐形輞合器，其耦合系數(shù)接近于100%。 精品推薦
品牌： 北京中科艾科米 型號： EBE35A1-H1M210-K 產(chǎn)地：北京 供應(yīng)商：中科艾科米（北京）科技有限公司

主要特點 ? 超高真空兼容 ? 蒸發(fā)溫度最高可達3000℃ ? 精確的線性推進：0.01mm精度，25mm行程，專利設(shè)計 ? 內(nèi)置擋板，不受空間限制完全打開 ? 可靠的束流監(jiān)控，有效避免外界電磁場影響 ? 填料方便快速

品牌： 北京中科艾科米 型號： EBC103-2K-S1 產(chǎn)地：北京 供應(yīng)商：中科艾科米（北京）科技有限公司

主要特點 ? 基于嵌入式ARM+Linux操作平臺 ? 高度集成化設(shè)計 ? 7''LCD觸摸顯示 ? 實時束流顯示 ? 可獨立高壓電源 ? 遠程控制及診斷 ? U盤一鍵固件升級 ? 多種接口類型：USB，Ethernet ? 高效風(fēng)冷，智能風(fēng)扇控制 ? 多種工作模式 ? 手動/恒高壓/恒發(fā)射電流/恒功率/恒束流 各模式一鍵切換 ? 專利束流轉(zhuǎn)換器 ? 直接安裝在蒸發(fā)源上，可最小化噪音及誤差 ? 內(nèi)置放大器及數(shù)字變換器 ? 超大束流檢測范圍：100pA~1mA, 自動量程變換 ? 超低噪音： 1pA/√Hz

品牌： 北京中科艾科米 型號： TCC100A1-1M400-K 產(chǎn)地：北京 供應(yīng)商：中科艾科米（北京）科技有限公司

主要特點 ? 超高真空兼容 ? 優(yōu)異的溫度和束流穩(wěn)定性 ? 獨立式的水冷結(jié)構(gòu)，源與水冷可單獨拆卸 ? 適用于腐蝕材料的蒸發(fā) ? 低溫區(qū)和裂解區(qū)之間具有良好的隔熱性 ? 坩堝容積最大可達1000cc

品牌： 北京中科艾科米 型號： MTC110-800-S0-Al-K-T4 產(chǎn)地：北京 供應(yīng)商：中科艾科米（北京）科技有限公司

主要特點 ? 7” LCD觸摸顯示 ? 雙路輸出、雙路控溫、四路測溫可選 ? PID自動控制，帶自整定 ? 可編程直流壓源 ? 多種工作模式 ? 手動模式 ? 恒溫模式 ? 曲線模式 ? 遠程控制及診斷 ? 多種接口類型：USB，Ethernet ? U盤一鍵固件升級 產(chǎn)品應(yīng)用 ? 裂解源和蒸發(fā)源溫度控制 ? 其他電阻式加熱設(shè)備：如烘箱，熔化爐等 ? 可編程直流電源

品牌： 美國SVT Associates 型號： SVT-35等 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：美國SVTA公司中國辦事處

美國SVT公司MBE分子束外延系統(tǒng)美國SVT公司是世界頂級的MBE供應(yīng)商，具有20年的MBE設(shè)備制造經(jīng)驗。數(shù)位核心工程師擁有25年以上的MBE經(jīng)驗。占據(jù)美國主要科研市場的SVT分子束外延系統(tǒng)，以其專業(yè)化的超高真空技術(shù)和薄膜生長技術(shù)搏得了廣大客戶的青睞。SVT公司擁有獨立的應(yīng)用實驗室，可以為客戶提供完善的工藝技術(shù)服務(wù)。和客戶之間建立共同研發(fā)及合作的技術(shù)平臺。SVT公司建立完善的售后服務(wù)體系。在北京、香港、美國總部都有服務(wù)工程師。型 號應(yīng) 用樣 品 尺 寸35-4III-V, 或其他化合物半導(dǎo)體4’’35-N氮化物半導(dǎo)體4’’或3X2’’35-6III-V或II-VI  或其他化合物半導(dǎo)體4’’, 6’’或多片2’’35-G-4III-V化合物，SiGe4’’SM-6Si，Ge，金屬4’’或6’’S-8Si，Ge，介質(zhì)材料最大8’’可配集成腔室SVT-V化合物半導(dǎo)體，氮化物，氧化物，鐵磁材料2’’或3’’35-D雙生長腔室，III-V或II-VI 或其他化合物半導(dǎo)體，鐵磁材料3’’或4’’35-VCIGS3’’或4’’NanoFabII-V，II-VI，II-氧化物，III-氮化物以及其他材料1’’或2’’UVD-02氧化物或其他介質(zhì)材料4’’, 可配有液態(tài)源PLD-02氧化物半導(dǎo)體、高溫超導(dǎo)材料、光學(xué)晶體材料、電光學(xué)薄膜、鐵電以及鐵磁材料等4’’, 激光/電子束沉積35V14化合物半導(dǎo)體，氮化物，氧化物，鐵磁材料14’’或多個小尺寸SVT MBE系統(tǒng)是模塊化設(shè)計，主要包括裝載室模塊，預(yù)備或分析室模塊，主生長室模塊?？膳?0個源，線性移動擋板。每個模塊都有獨立的抽氣系統(tǒng)。模塊間有閘板閥相互隔離，互不影響。Model 35-6 AlGaAs（或其他半導(dǎo)體材料）研究和生產(chǎn)型設(shè)備，樣品尺寸可達6英寸?？扇菁{10個cell。真空度 1×10-10Torr?？膳淦胀ㄊ髟?，裂解源，RF源，電子束蒸發(fā)源。Model 35-N-V 標(biāo)準(zhǔn)4 襯底MBE平臺，用于生長高質(zhì)量的氮化物半導(dǎo)體材料。可容納10個cell。真空度 1×10-10Torr。設(shè)計考慮了嚴(yán)格的活性氮環(huán)境并配有高溫襯底加熱器。氮源的種類包括RF氮源和氨氣入射源。26-O-V 氧化物MBE系統(tǒng)具有彈性配置。真空度 1×10-10Torr。此多元化MBE平臺可以生長研究各種氧化物材料。該系統(tǒng)可以配備多坩堝電子束蒸發(fā)源以及10個熱蒸發(fā)源或等離子源等。氧化物MBE還包括：26-O-C緊湊型氧化物MBE、26-O-6大樣品氧化物MBE等各種型號。Model SM-6 SiGe系統(tǒng)用于生長高質(zhì)量的Si/Ge及相關(guān)化合物。真空度 1×10-10Torr。可容納9個普通源及1個電子束蒸發(fā)源，或6個普通源及2個電子束蒸發(fā)源。該系統(tǒng)集成了電子束蒸發(fā)和熱源蒸發(fā)兩種沉積技術(shù)，并通過傳感器反饋控制技術(shù)實現(xiàn)薄膜制備的高度再現(xiàn)性。

品牌： 美國SVT Associates 型號： AccuFlux 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：美國SVTA公司中國辦事處

AccuFlux 工藝監(jiān)控儀是非侵入式在線束流監(jiān)控儀并配有原子吸收譜儀。利用各元素特定的照射燈，AccuFlux 還可測量固態(tài)源及氣態(tài)源的氣相束流密度。此監(jiān)控儀可同時監(jiān)控4種材料。獨特的光學(xué)和電子設(shè)計，使速率精度 0.002nm/s。AccuFlux 具有自參考和自對準(zhǔn)功能，即使儀器出現(xiàn)移位也不會影響監(jiān)測。 AccuFlux 工藝監(jiān)控儀可用在MBE及MOCVD上測量絕大多數(shù)材料。遠程控制裝置做為可選部件，是生產(chǎn)型應(yīng)用的理想選擇。此裝置可提供擋板及源控制的信息實時反饋。不論生長設(shè)備上源（cell）的結(jié)構(gòu)設(shè)計是線型還是共焦型，AccuFlux都可以使用。每種材料具有獨特的光源，因此該監(jiān)控儀可在過壓環(huán)境下使用，例如GaAs，CIGS及氧化物的生長?！駝?chuàng)新的光學(xué)設(shè)計，能夠檢測速率最低為0.002nm/s●針對各元素的高強度燈源●可對固態(tài)及氣態(tài)源進行束流監(jiān)控●遠程控制可選，能夠?qū)崿F(xiàn)閉環(huán)控制●可以同時監(jiān)控4種材料

品牌： 美國SVT Associates 型號： 2.75"/4.5"/6.0'' 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：美國SVTA公司中國辦事處

美國SVT公司的RF等離子源適用于多個公司多種型號。 法蘭接口包括： 2.75''、4.5''、6''。 等離子源用于離解雙原子氮、氧和氫。離解過程中不會產(chǎn)生高能離子。 產(chǎn)生的束流含有零離子，有助于生長高質(zhì)量的薄膜，也可以在不損傷襯底表面的情況下清洗襯底。 高生長率等離子體源能夠在生長速率大于4μm/hr的情況下生長高質(zhì)量的薄膜。 光闌和等離子腔形狀可以顧客定制，以滿足客戶對不同流量的需求。 軟件作為可選項，能夠?qū)崿F(xiàn)自動操作，允許用戶保存數(shù)據(jù)，編寫工藝程序。特點可提供N2、O2、H2等離子源生長速率大于4μm/hr源設(shè)計有等離子體觀察窗口光闌和等離子腔形狀可以客戶定制RF自動調(diào)節(jié)可選RF 功率200-600W氣體流量0.1-10SCCM法蘭4.50’’ CF 源直徑2.35’’水冷卻0.17GPM 流量(0.227m3/hr)RF匹配網(wǎng)絡(luò)手動調(diào)節(jié)(自動調(diào)節(jié)可選)等離子腔PBN，氧化鋁，石英

品牌： 美國SVT Associates 型號： RHEED 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：美國SVTA公司中國辦事處

反射高能電子衍射儀是MBE制程的一部分。在薄膜沉積過程中，RHEED給客戶提供了重要的信息。 首先，RHEED圖像表征樣品表面的狀態(tài)。 其次，其強度震蕩可以提供生長速率的量化數(shù)據(jù)。 RHEED提供了清晰的焦點，以及衍射圖樣，并能夠在屏幕上高亮度顯示。 電子光學(xué)部件有磁性保護罩，便于提高操作性。 可選部件：RHEED圖像分析硬件和軟件系統(tǒng)，可以實時獲取RHEED圖樣，使用戶便于觀察和控制薄膜生長質(zhì)量。完整的RHEED系統(tǒng)包括 10KeV RHEED電子束源，電源及配套光纜。技術(shù)參數(shù)：束流電壓10KV燈絲電流3A發(fā)射電流5A光斑大小1.0mm (17’’/1075px距離) 最大烘烤溫度230 oCRHEED Electron Source2.75"和4" 法蘭RHEED Power SupplyRHEED Image Analysis Software高分辨CCD 或相機實時分析2D/3D分析RHEED Optional Components主要特點：實時檢測外延生長測量薄膜生長速率單晶薄膜的生中速率測量光學(xué)部件帶有磁性罩

品牌： 美國SVT Associates 型號： SVTA-CL 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：美國SVTA公司中國辦事處

此在線CL系統(tǒng)是監(jiān)控MBE生長過程的理想選擇。 CL可以放置在獨立的觀察窗位置。 通過RHEED槍以及敏感的光學(xué)探測系統(tǒng)，CL可以實時提供材料組分的準(zhǔn)確信息，并進行實時光學(xué)分析。 部件有8''的前后移動容域度，避免與其他部件相互干擾。 CL通過電子激發(fā)技術(shù)調(diào)節(jié)電子能量，可以檢測較深的薄膜表面信息。 與其配套的Windows軟件操作系統(tǒng)，可以實現(xiàn)操作自動化及圖譜分析。特點一個端口可以同時監(jiān)測薄膜成分和光學(xué)分析摻雜水平信息部件可前后移動，使部件間相互干擾最小化全電腦控制及分析光譜范圍 200-900nm分辨率0.5nm 探測器量子效率25% 探測器輸出10V/nW噪音等效 250V 觀察窗口 2.75''CF外部尺寸 9.0''X25.5''X10.1'' (22cm×65cm×26cm)腔室內(nèi)尺寸 1.25''×13.1'' (3.2cm×34cm) 行程距離最大8''(20.3cm) 靶距離2''(5.1cm) 電腦要求Windows 9X，2000，XP

品牌： 美國SVT Associates 型號： WP-15 產(chǎn)地：美國 供應(yīng)商：美國SVTA公司中國辦事處

美國SVT公司超高真空解理機SVT公司的樣品解理部件可以將15mm（其他尺寸可選）的方形樣品解理成15個1mm×15mm的Bar條。所有解理出的bar條被收集到樣品托，堆疊在一起進行下一步批量加工。獨特設(shè)計的解理工具避免了器件被破壞以及樣品互相黏在一起的可能性。此解理工具可完全適用于UHV環(huán)境。解理機可以增加鈍化層沉積模塊。解理后堆疊在一起的Bar條直接進入鈍化室，不用暴露大氣。規(guī)格在線bar條解理加工15mm×15mm 樣品（10mm-32mm可選）加工成15mm×1mm 樣品（1mm-5mm寬度可選）8''法蘭接口可烘烤至180oC，（200oC可選）樣品可以兩種方向加工UHV環(huán)境兼容Cassette裝取

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