4.1 設(shè)計原則
環(huán)境應(yīng)力篩選試驗方案的設(shè)計原則是:使篩選應(yīng)力能激發(fā)出由于潛在設(shè)計缺陷、制造缺陷、元器件缺陷引起的故障;所施加的應(yīng)力不必模擬產(chǎn)品規(guī)定的壽命剖面、任務(wù)剖面、環(huán)境剖面;在試驗中,應(yīng)模擬設(shè)計規(guī)定的各種工作模式。
根據(jù)條件和是否必要來確定常規(guī)篩選或是定量篩選;根據(jù)不同階段和產(chǎn)品的特征制訂篩選方案。
4.1.1 研制階段的篩選
研制階段一般按照經(jīng)驗得到的篩選方法進(jìn)行常規(guī)篩選.,其主要作用是:一方面用于收集產(chǎn)品中可能存在的缺陷類型、數(shù)量及篩選方法效果等信息;另一方面,在可靠性增長和工程研制試驗前進(jìn)行了常規(guī)試驗,可節(jié)省試驗時間和資金;同時利于設(shè)計成熟快捷的研制試驗方法。
研制階段的常規(guī)篩選要為生產(chǎn)階段的定量篩選收集數(shù)據(jù),為定量篩選作準(zhǔn)備,設(shè)計定量篩選的大綱。
4.1.2 生產(chǎn)階段的篩選
生產(chǎn)階段的篩選主要是實施研制階段設(shè)計的定量篩選大綱;并通過記錄缺陷析出量和設(shè)計估計值的比較,提出調(diào)整篩選和制造工藝的措施;參考結(jié)構(gòu)和成熟度相似產(chǎn)品的定量篩選經(jīng)驗數(shù)據(jù),完善或重新制訂定量篩選大綱。這些經(jīng)驗數(shù)據(jù)主要有:
故障率高的元器件和組件型號;故障率高的產(chǎn)品供貨方;元器件接收檢驗、測試和篩選的數(shù)據(jù);以往篩選和測試的記錄;可靠性增長試驗記錄;其它試驗記錄。
4.2 設(shè)計依據(jù)
4.2.1 依據(jù)產(chǎn)品缺陷確定篩選應(yīng)力
本實驗使用的試驗設(shè)備為高低溫試驗箱、恒溫恒濕試驗箱、快溫變試驗箱、三綜合試驗箱等環(huán)境試驗設(shè)備。
4.2..1.1 影響產(chǎn)品缺陷數(shù)量的因素
如前所述,產(chǎn)品在設(shè)計和制造過程引入的缺陷主要是:設(shè)計缺陷、工藝缺陷、元器件缺陷。這些缺陷可歸納為兩種類型,一是固有缺陷,它是存在于產(chǎn)品內(nèi)部的缺陷,如材料缺陷、外購元器(部)件缺陷和設(shè)計缺陷;二是誘發(fā)缺陷,它是人們在生產(chǎn)或修理過程中引入的缺陷,如虛焊、連接不良等。這些缺陷的可視缺陷或用常規(guī)檢測手段便可發(fā)現(xiàn)缺陷,可在生產(chǎn)中被排除;除此之外的缺陷便成為潛在缺陷,構(gòu)成裝備的早期故障根源。裝備的早期故障一般要經(jīng)過100小時以內(nèi)的工作才能暴露,從而被排除。
影響產(chǎn)品缺陷數(shù)量的主要因素有:
產(chǎn)品的復(fù)雜程度。產(chǎn)品越復(fù)雜,包含的元器件類型和數(shù)量越多、接頭類型和數(shù)量越多,則設(shè)計和裝焊的難度越大,設(shè)計制造中引入缺陷的可能性越大。同時也增加環(huán)境防護(hù)設(shè)計的難度。
元器件質(zhì)量水平。元器件質(zhì)量水平是裝備缺陷的主要來源,元器件質(zhì)量水平包括質(zhì)量等級和缺陷率指標(biāo)兩個方面,后者用PPM表示,一般生產(chǎn)廠要在說明書中表示。這是定量篩選方案設(shè)計的重要依據(jù)。
組裝密度。組裝密度高,元器件排列擁擠,裝焊操作難度大,易碰傷元器件,工作中散熱條件差,易引入工藝缺陷和使缺陷加速擴(kuò)大。
設(shè)計和工藝成熟程度。設(shè)計和工藝的成熟程度的提高,可以大大地減少產(chǎn)品的設(shè)計缺陷和工藝缺陷的種類及其數(shù)量。一般,在研制階段,在結(jié)構(gòu)設(shè)計定型之前,設(shè)計缺陷占主導(dǎo)地位;在生產(chǎn)階段,設(shè)計缺陷減少,元器件缺陷和工藝缺陷比例增加,并且隨著設(shè)計的改進(jìn)和工藝的不斷成熟,元器件缺陷將占主導(dǎo)地位。
制造過程控制。制造過程控制主要是質(zhì)量控制,包括采用先進(jìn)的工藝質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn)和管理制度,管理控制得越嚴(yán)格,引入缺陷的機(jī)會就越少。
4.2.1.2 環(huán)境應(yīng)力對缺陷的影響
現(xiàn)場環(huán)境應(yīng)力是影響缺陷發(fā)展成故障的主要因素。任何缺陷發(fā)展成為故障都需要受到一定強(qiáng)度應(yīng)力經(jīng)過一定時間的作用,產(chǎn)品只有受到能產(chǎn)生等于或大于閾值的環(huán)境應(yīng)力才能使某些缺陷變?yōu)楣收希辉谀承睾偷沫h(huán)境應(yīng)力中,許多缺陷不會發(fā)展為故障。因此,只有選擇能暴露某些缺陷的應(yīng)力作為篩選的條件,才能達(dá)到篩選的目的。常用的應(yīng)力所能發(fā)現(xiàn)的典型缺陷見表2-4-1。據(jù)統(tǒng)計,溫度應(yīng)力可篩選出80%的缺陷,振動應(yīng)力可篩選出20%左右的缺陷。
表2-4-1 常用應(yīng)力能發(fā)現(xiàn)的典型缺陷
缺陷在裝備研制生產(chǎn)的不同階段的類別和分布是變化的,因此在制定篩選大綱時要根據(jù)產(chǎn)品缺陷的分布確定篩選等級。在研制階段,設(shè)計缺陷的比例最大;在生產(chǎn)初期,設(shè)計缺陷比例下降,工藝缺陷比例增加,占最大比例;在生產(chǎn)成熟階段,設(shè)計和工藝趨于成熟,個人操作熟練,元器件缺陷比例變得最大,此時設(shè)計缺陷一般只占5%以下,工藝缺陷在30%以下,而元器件缺陷可占60%以上。表2-4-2是不同裝備在單元或模塊組裝等級進(jìn)行環(huán)境應(yīng)力篩選暴露的缺陷比例,反映了缺陷的分布情況,可作參考。
表2-4-2 各種產(chǎn)品篩選的缺陷比例
為了保證基本消除裝備的早期故障,最好在各個裝配等級上都安排環(huán)境應(yīng)力篩選。任何篩選都不可能代替高一裝配等級上的篩選。而任何高一級的篩選雖然可以代替低一級的篩選,但篩選效率會降低,篩選成本要提高。一般裝備分成設(shè)備或系統(tǒng)級(包括電纜和采購的單元)、單元級(包括采購的組件和布線)、組件級(包括印制電路板和布線)、元器件等4個級別。據(jù)經(jīng)驗介紹,對元器件的篩選成本需要1~5個貨幣單位的話,組件級篩選則需要30~50貨幣單位,單元級需要250~500貨幣單位,設(shè)備或系統(tǒng)級需要500~1000貨幣單位。
根據(jù)多數(shù)單位的情況來看,設(shè)計篩選取組件級及以下和取單元級及以上的較多。
從綜合的角度來看,組件級篩選的優(yōu)點是:每檢出一個缺陷的成本低,尺寸小、不通電可進(jìn)行成批篩選、效率高;組件的熱慣性低,可進(jìn)行更高溫度變化率的篩選,篩選效率提高。其缺點是:由于不通電,難以檢測性能,篩選尋找故障的效率低;如果改成通電篩選檢測,需要專門設(shè)計設(shè)備,成本高;不能篩選出該組裝等級以上的組裝引入的缺陷。
單元級以上的篩選優(yōu)點是:篩選過程易于安排通電監(jiān)測,檢測效率高;通常不用專門設(shè)計檢測設(shè)備;單元中各組件的接口部分也得到篩選,能篩選各組件級引入的潛在缺陷。其缺點是:由于熱慣性較大,溫度變化速率不能大,溫度循環(huán)時間需要加長;單元級包含了各種元部件,溫度變化范圍較小,會降低篩選效率;每檢出一個缺陷的成本高。
4.2.3 根據(jù)檢測效率確定定量篩選目標(biāo)
檢測效率是環(huán)境應(yīng)力篩選工作的重要因素。給產(chǎn)品施加應(yīng)力把潛在缺陷變成明顯的故障后,能否準(zhǔn)確定位和消除,就要取決于檢測手段及其能力。當(dāng)選擇在較高組裝等級進(jìn)行篩選時,有可能利用較現(xiàn)成的測試系統(tǒng)或機(jī)內(nèi)檢測系統(tǒng);在選擇高組裝級篩選時,能準(zhǔn)確地模擬各種功能接口,也便于規(guī)定合理的驗收準(zhǔn)則,容易實現(xiàn)高效率的檢測,提高檢測效率。表2-4-3列出了不同組裝等級情況的檢測效率,表2-4-4列出了各種測試系統(tǒng)的檢測效率范圍,可用于計算析出量的估計值。需要指出的是,綜合利用各種檢測系統(tǒng)能提高檢測效率。
表2-4-3 不同組裝等級情況的檢測效率
確定環(huán)境應(yīng)力篩選的定量目標(biāo)必須確定產(chǎn)品的元器件缺陷率??梢园匆韵路椒ù_定元器件缺陷率。
4.2.4.1 查表法
國產(chǎn)元器件由GJB299《電子設(shè)備可靠性預(yù)計手冊》規(guī)定質(zhì)量等級,當(dāng)產(chǎn)品選定某個等級的元器件后,按照使用環(huán)境條件,可以從GJB/Z34《電子產(chǎn)品定量環(huán)境應(yīng)力篩選指南》的附錄A的相應(yīng)表中查得不同質(zhì)量等級、不同使用環(huán)境的各種電子元器件的缺陷率數(shù)據(jù)(以PPM表示)。進(jìn)口元器件問題較復(fù)雜,我們不可能查得每一個國家每一種元器件的缺陷率,只能參考美國MIL-HDBK-217E查出質(zhì)量等級,然后從GJB/Z34中查出進(jìn)口元器件的缺陷率。
4.2.4.2 試驗驗證法
當(dāng)所用的元器件質(zhì)量等級無法從手冊中查得缺陷率數(shù)據(jù)時,可根據(jù)GJB/Z34《電子產(chǎn)品定量環(huán)境應(yīng)力篩選指南》提供的方法對元器件進(jìn)行抽樣篩選,處理試驗數(shù)據(jù)獲得該元器件的缺陷率。
4.2.4.3 推算法
當(dāng)具備足夠的失效率、缺陷率、環(huán)境系數(shù)、質(zhì)量系數(shù)等數(shù)據(jù)時,可以按照以下步驟推算同類元器件在同種環(huán)境中其它質(zhì)量等級下的缺陷率。
4.2.4.3.1 根據(jù)質(zhì)量系數(shù)推算同類元器件在同種環(huán)境中其它質(zhì)量等級下的缺陷率
a) 基本信息
某類元器件的缺陷率DP ,包括在生產(chǎn)廠發(fā)現(xiàn)的缺陷率DPF和在現(xiàn)場使用中發(fā)現(xiàn)的缺陷率DPU,即DP=DPF+DPU,用PPM表示。
已知缺陷率和質(zhì)量等級的元器件的質(zhì)量系數(shù) Q1和未知質(zhì)量等級的缺陷率元器件的系數(shù) Q2。
b) 計算公式
失效率與質(zhì)量系數(shù)成正比的元器件,其缺陷率為
DPC=( Q2/ Q1 ) DPO =( Q2/ Q1 ) (Dpfo+Dpuo) (2-4-1)
式中: DPC 要計算的缺陷率,PPM;
DPO 已知質(zhì)量等級元器件的總?cè)毕萋?,PPM;
Q1 已知質(zhì)量等級元器件的質(zhì)量系數(shù),可從有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中查得;
Q2 要計算其缺陷率的質(zhì)量等級元器件的質(zhì)量系數(shù),可從有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)查得;
Dpfo 已知質(zhì)量等級元器件工廠缺陷率,PPM;
Dpuo 已知質(zhì)量等級元器件現(xiàn)場使用中發(fā)現(xiàn)的缺陷率,PPM。
c) 示例
已知:某進(jìn)口晶體管的質(zhì)量等級為JAN級,缺陷率為D P(JAN)=346PPM;求取:質(zhì)量等級為JANTX進(jìn)口晶體管的缺陷率。
步驟:從有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)查得:
Q(J )=1.2
Q(J TX)=2.4
按式(2-4-1)計算
DP(JANTX)=( Q(JANTX)/ Q(JAN)) DP(JAN)
=(0.24/1.2) 346
=69.2 (PPM)
4.2.4.3.2 根據(jù)環(huán)境系數(shù)推算同類元器件同一質(zhì)量等級在其它環(huán)境中的缺陷率
其一:失效率與環(huán)境系數(shù)成正比的元器件
a) 基本信息
某質(zhì)量等級的元器件在給定環(huán)境中的缺陷率DP,包括在生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)的缺陷率DPf和現(xiàn)場使用環(huán)境中的缺陷率DPU,在生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)的缺陷率實際上就是地面固定環(huán)境(GF)的缺陷率。
給定環(huán)境的相應(yīng)環(huán)境系數(shù) E1。
求取缺陷率所處環(huán)境相應(yīng)的環(huán)境系數(shù) E2。
b) 計算公式
DPC=Dpf+( E2/ E1 ) Dpu (2-4-2)
式中:DPC 要計算的缺陷率,PPM;
Dpf 已知的在工廠的缺陷率,PPM;
Dpu 已知的在使用現(xiàn)場的缺陷率,PPM;
E1 已知缺陷率所在環(huán)境的環(huán)境系數(shù),可從有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)查得;
E2 要計算的缺陷率所在環(huán)境的環(huán)境系數(shù),可從有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)查得。
c) 示例
已知:進(jìn)口的質(zhì)量等級為JAN的晶體管在地面固定環(huán)境(GF)中的缺陷率為346PPM,其中工廠缺陷率為60PPM,使用環(huán)境缺陷率為286PPM;
求?。涸摰燃壘w管在地面移動環(huán)境(GM)中的缺陷率。
步驟:從有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)查得兩種環(huán)境的環(huán)境系數(shù):
E1= E(GF)=5.3
E2= E(GM)=18
應(yīng)用公式(2-4-2)計算:
DPC=Dpf+( E2/ E1 ) Dpu
=60+(18/5.3) 286
=60+971
=1031 (PPM)
其二:失效率與環(huán)境系數(shù)不成正比的元器件,以半導(dǎo)體集成電路為主
a) 基本信息:
半導(dǎo)體集成電路的質(zhì)量等級;半導(dǎo)體集成電路的總量;半導(dǎo)體集成電路工廠缺陷率,PPM;半導(dǎo)體集成電路現(xiàn)場工作小時數(shù);半導(dǎo)體集成電路現(xiàn)場失效率。
b) 確定失效率模型
半導(dǎo)體集成電路失效模型為:
P= Q [C1 T V PT+(C2+C3) E] L (2-4-3)
式中: P 工作失效率;
Q 質(zhì)量系數(shù);
T 溫度應(yīng)力系數(shù);
V 電應(yīng)力系數(shù);
E 環(huán)境系數(shù);
C1,C2 電路復(fù)雜度失效率;
C3 封裝復(fù)雜度失效率;
L 器材成熟系數(shù);
PT可編程工藝系數(shù),除可編程序的只讀存儲器外,其余為一。
可根據(jù)半導(dǎo)體集成電路的質(zhì)量系數(shù)和有關(guān)技術(shù),確定 E、 Q、 T、 V、 PT和C1,把它們和已知的現(xiàn)場失效率數(shù)據(jù)一并代入式(2-4-3),可求得C1 T V PT和C2+C3的值,并分別令其為K1、K2,式(2-4-3)簡化為:
P= Q (K1+K2 E) L (2-4-4)
式中:K1=C1 T V TP
K2=C2+C3
c) 導(dǎo)出現(xiàn)場缺陷率計算公式
現(xiàn)場缺陷率等于現(xiàn)場失效率與現(xiàn)場工作時間的乘積除以元器件總數(shù)。從基本信息可得到現(xiàn)場工作時間和元器件總數(shù),再利用式(2-4-3)求得的失效率數(shù)據(jù),就可導(dǎo)出缺陷率計算公式:
DPU= / (2-4-5)
式中:DPU 現(xiàn)場缺陷率;
統(tǒng)計得到的工廠缺陷率;
現(xiàn)場工作總時間;
統(tǒng)計的元器件總數(shù)。
令K3=T/N,合并式(2-4-3)、(2-4-4)、(2-4-5)得:
DPU=DPf+Dpu
=Dpf+K3 Q (K1+K2 E) L (2-4-6)
式中: DPU 要計算的缺陷率;
Dpf 統(tǒng)計得到的工廠缺陷率;
Q 質(zhì)量系數(shù);
E 環(huán)境系數(shù);
L 器材成熟系數(shù);
K1、K2、K3 根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)導(dǎo)出的常數(shù)。
d) 示例
已知:進(jìn)口集成電路的質(zhì)量等級為C-1,統(tǒng)計的集成電路數(shù)量N為624087個,統(tǒng)計的工廠缺陷率 Dpf為160PPM,現(xiàn)場總工作時間T為8580 106h,現(xiàn)場失效率為0.025 10-6/h;求?。涸撡|(zhì)量等級集成電路的失效率計算公式和缺陷率計算公式。
步驟:根據(jù)有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)確定某些值為:
Q=13.0 C1=0.0053 T=0.032 V=1.0
PT=1.0 E=4.0 L=1.0
代入式(2-4-3): P= Q [C1 T V PT+(C2+C3) E] L 有:
0.025=13.0[(0.0053 0.032 1.0 1.0)+(C2+C3)4.0]1.0
則:C2+C3=K2=0.00044
C1 T V TP=K1=0.00017
將上述數(shù)據(jù)代入式(2-4-4)得到失效率計算公式:
P= Q (0.00017+0.00044 E)
現(xiàn)場缺陷率計算公式為:
DPU= /
= 8580 106/624087
=[ Q (0.00017+0.00044 E)] 0.0137481
= Q (2.3372+6.0492 E) 10-6
= Q (2.3372+6.0492 E) (PPM)
總?cè)毕萋视嬎愎綖椋?/p>
DPU=DPf+Dpu
=160+ Q (2.3372+6.0492 E) (PPM)
用此公式可以推算其它質(zhì)量等級和環(huán)境下元器件的缺陷率。
4.2.4.3 根據(jù)某元器件的缺陷率和失效率求取另一失效率已知的元器件缺陷率
此方法的前提是:假設(shè)失效率類似的元器件,其缺陷率也類似。
a) 基本信息
要計算的元器件的失效率 1;已知缺陷率為DPO的元器件的失效率 2;
b) 計算公式
DPC=DPO 2/ 1 (2-4-7)
式中:DPC 要求解的缺陷率,PPM;
DPO 已知的缺陷率,PPM;
1 已知缺陷率的元器件的失效率;
2 要求解缺陷率的元器件的失效率。
此式求解的缺陷率是指某質(zhì)量等級的該類元器件在某種環(huán)境條件下的缺陷率,如果要求解的元器件是在不同環(huán)境條件和不同質(zhì)量等級的缺陷率,則可用本節(jié)相應(yīng)的其它方法求解。其總關(guān)系式為:
DPC=( Q2/ Q1 )[DPU ( E2/ E1)+DPf] (2-4-8)
式中:DPC 要計算的缺陷率,PPM;
Q1 已知缺陷率的元器件的質(zhì)量系數(shù);
Q2 要求取缺陷率的元器件的質(zhì)量系數(shù);
DPU 已知的現(xiàn)場缺陷率,PPM;
E1 已知缺陷率的元器件的環(huán)境系數(shù);
E2 要求取缺陷率的元器件的環(huán)境系數(shù);
DPf 已知的工廠中缺陷率,PPM。
c) 示例
已知:質(zhì)量為M等級的進(jìn)口元器件在地面固定環(huán)境中的失效率為0.00207 10-6;C-1級進(jìn)口集成電路在地面固定環(huán)境的失效率為0.05123 10-6,總?cè)毕萋蕿?03.2PPM,工廠缺陷率為160PPM。
求取:質(zhì)量等級為M的電阻器在地面固定環(huán)境中的缺陷率。
步驟:
DPC=DPO 2/ 1
=503.2 10-6 (0.00207 10-6/0.5123 10-6)
=(160+343.2) 10-6 (0.00207/0.5123)
=6.46+13.87 (PPM)
=20.33 (PPM)
求取其它質(zhì)量等級和環(huán)境中的缺陷率公式為:
DPC=( Q2/ Q1 )[13.87 ( E2/ E1)+6.46] PPM
4.2.5 依據(jù)殘留缺陷密度的相關(guān)性
4.2.5.1 殘留缺陷密度與平均故障間隔時間的關(guān)系
據(jù)統(tǒng)計,目前良好的元器件的平均失效率在10-6/h至10-7/h之間,現(xiàn)場環(huán)境中由潛在缺陷造成的故障率合理范圍是大于10-3/h。假定裝備交付時故障率比規(guī)定的故障率 0大10%是可接受的,且假定潛在缺陷造成的故障率 D為10-3/h,根據(jù)GJB/Z34提供的故障率與殘留缺陷密度的關(guān)系式:
DR=100 0 (2-4-9)
DR=100/MTBF (2-4-10)
式中: DR 殘留在產(chǎn)品中的缺陷密度;
0 產(chǎn)品規(guī)定的故障率,1/h。
根據(jù)該標(biāo)準(zhǔn)提供的關(guān)系式計算得的缺陷密度與MTBF的關(guān)系數(shù)據(jù)見表2-4-5。
表 2-4-5殘留缺陷密度與MTBF的關(guān)系
(前提條件: D為10-3/h,交付時允許故障率比規(guī)定的高0.1)
置信度不同,篩選成品率的下限YL也不同,它是缺陷故障率與無故障試驗時間的乘積、缺陷故障率與規(guī)定故障率的比值的函數(shù),表2-4-6列出了置信度為90%的篩選成品率下限數(shù)據(jù),其它參數(shù)的數(shù)據(jù)可參閱GJB/Z34。