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掃描電子顯微鏡可觀察納米級的顯微結(jié)構(gòu)

利用氧化鎵與氧化釓混合氧化物為閘極的電晶體具有未被扎住的費(fèi)米能
階以及極佳的電子元件特性，最重要的關(guān)鍵在于成長初期所形成的磊晶氧化釓。

利用掃描穿透電子顯微鏡形成的高角度環(huán)狀暗場影像觀察出原子界面的結(jié)構(gòu)，而
從顯微結(jié)構(gòu)也得出界面形成為了調(diào)節(jié)晶格不匹配性的界面錯位差排。

除此之外，為了高??功率元件的應(yīng)用，我們成長納米級厚度的磊晶氧化釓薄
膜于氮化鎵半導(dǎo)體上，令人感到有趣的相變化具伴隨著膜的厚度而發(fā)生，當(dāng)膜厚
超過三納米厚度時會從六方晶系變化到單斜晶系，我們利用高空間解析度的電子
能量損失能譜與掃描穿透電子顯微鏡結(jié)合的方式去觀察不同結(jié)構(gòu)中電子能量損
失近邊緣結(jié)構(gòu)的差異