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硅晶太陽能芯片電極涂布檢測(cè)金相顯微鏡廠商

電極涂布補(bǔ)償過程誤差分析
硅晶太陽能芯片兩次電極涂布過程中，有許多因素可造成兩次電
極的錯(cuò)位，但并不是所有因素都能在本研究中討論。本研究主要以對(duì)
位誤差的改善為主，以下四項(xiàng)誤差為擬探討的項(xiàng)目：
實(shí)驗(yàn)室開發(fā)之誤差補(bǔ)償軟體之運(yùn)算精度；
(b)硅晶太陽能芯片涂布機(jī)臺(tái)涂布時(shí)產(chǎn)生之誤差；
(c)誤差補(bǔ)償軟體座標(biāo)系統(tǒng)轉(zhuǎn)換成涂布機(jī)臺(tái)座標(biāo)系統(tǒng)之誤差；
(d)單次電極涂布區(qū)域?qū)π酒吔缪a(bǔ)正及兩次電極涂布輪廓對(duì)位補(bǔ)正。其
他可造成兩次涂布之誤差，非本研究所能掌控的因素，
包括：(a)電極涂布機(jī)臺(tái)涂布網(wǎng)版之品質(zhì)、外型及偏移程度；
(b)電極涂布時(shí)銀膠之黏稠程度及品質(zhì)；
(c)電極涂布機(jī)臺(tái)旋轉(zhuǎn)臺(tái)之旋轉(zhuǎn)角度及圓心；
(d)對(duì)位CCD(Charge coupled device)分辨率所造成的對(duì)位誤差