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芯片輪廓量測(cè)影像測(cè)量?jī)x-顯微鏡專(zhuān)業(yè)廠商

硅芯片影像擷取
就現(xiàn)有單次涂布的制程而言，已配置一組CCD影像設(shè)備，作為芯片
邊界對(duì)位誤差之檢測(cè)與補(bǔ)償。然而，目前使用的CCD影像設(shè)備每次擷取

整片芯片輪廓，雖然其像素相當(dāng)高，但由于取像范圍過(guò)大，分辨率無(wú)法
適用于兩次涂布的制程。經(jīng)由分析，若每次都需擷取整片芯片的影像，
其像素將相當(dāng)高，影像所需的儲(chǔ)存空間也相當(dāng)大，超過(guò)目前已知的所有
CCD設(shè)備能力。因此，需要分多次取像，以作為涂布區(qū)域?qū)ξ挥?jì)算的資
訊。本研究分別擷取芯片邊界的四個(gè)角落及涂布電極邊界之四個(gè)角落，

但因電極左下角印有一個(gè)標(biāo)志，因此必須避開(kāi)此標(biāo)志，分別擷取標(biāo)志左
上方及右下方之電極邊界。另外，于儲(chǔ)存影像的同時(shí)，必須將影像檔案
名稱(chēng)命名為機(jī)臺(tái)上顯示的影像中心座標(biāo)位置，以方便各局部影像于芯片
上位置的計(jì)算，明確得知區(qū)域?qū)ξ魂P(guān)系。因此，不但可減少影像擷取的
像素及影像儲(chǔ)存的空間，也可透過(guò)幾張局部影像，經(jīng)過(guò)軟體分析后，得
知各局部影像與整張芯片的相對(duì)位置關(guān)系，而作為后續(xù)對(duì)位補(bǔ)償?shù)囊罁?jù)