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太赫茲集成電路深入研究贏得前傳成效

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放大字體  縮小字體    發(fā)布日期:2021-06-19  來源:儀器網(wǎng)  作者:Mr liao  瀏覽次數(shù):42
核心提示:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授陸亞林量子功能材料和先進(jìn)光子技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)在太赫茲主動調(diào)控器件研究方面取得系列進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)研究了太赫茲波與超構(gòu)材料、氧化物超晶格薄膜相互作用機(jī)制,并成功制備了超快的太赫茲調(diào)制器,率先實(shí)現(xiàn)了皮秒級的高調(diào)制深度的太赫茲超快

  中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授陸亞林量子功能材料和先進(jìn)光子技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)在太赫茲主動調(diào)控器件研究方面取得系列進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)研究了太赫茲波與超構(gòu)材料、氧化物超晶格薄膜相互作用機(jī)制,并成功制備了超快的太赫茲調(diào)制器,率先實(shí)現(xiàn)了皮秒級的高調(diào)制深度的太赫茲超快開關(guān);同時制備了多功能的太赫茲器件,在單一器件中實(shí)現(xiàn)電開關(guān)、光存儲和超快調(diào)制多種功能。相關(guān)研究成果近期相繼發(fā)表在國際學(xué)術(shù)期刊《先進(jìn)光學(xué)材料》。

  太赫茲波具有獨(dú)特的時域脈沖、低能、譜指紋、寬帶等特性,它在物理化學(xué)、材料科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境科學(xué)、安全檢查、衛(wèi)星通訊等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。其中,影響太赫茲技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用的關(guān)鍵因素之一是難以獲得主動太赫茲調(diào)控元器件。超構(gòu)材料,一種由金屬或介質(zhì)材料的亞波長微結(jié)構(gòu)陣列組成的人工材料,其奇異的電磁響應(yīng)特性為太赫茲調(diào)控器件提供了絕佳的解決方案。遺憾的是,以往基于超構(gòu)材料的太赫茲元器件均由金屬材料構(gòu)成,加工尺寸固定后,器件的功能在實(shí)際應(yīng)用中便難以主動改變。因此,發(fā)展主動調(diào)控的太赫茲元器件有著重要的研究意義。

  通常主動調(diào)控是對太赫茲波偏振、振幅、相位等進(jìn)行調(diào)控,調(diào)控速度是另外一個指標(biāo)。一些實(shí)際應(yīng)用也迫切需求對太赫茲波進(jìn)行超快調(diào)控。陸亞林團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并制作了基于硅介質(zhì)的超快調(diào)控超表面。通過對硅薄膜進(jìn)行離子注入和快速熱處理工藝,大大減小了硅的載流子壽命并提高了自由載流子濃度。然后通過光刻、刻蝕工藝將硅薄膜加工為能在太赫茲波段共振的圓盤陣列結(jié)構(gòu)的超表面。利用紅外飛秒脈沖的激發(fā),率先實(shí)現(xiàn)了皮秒級的高調(diào)制深度的太赫茲超快開關(guān)(開20ps,關(guān)300ps),并基于半導(dǎo)體載流子動力學(xué)建立理論模型對其進(jìn)行了合理的解釋。相關(guān)研究成果近日在《先進(jìn)光學(xué)材料》期刊上線。

  另外,當(dāng)前研究的太赫茲主動調(diào)控器件功能比較單一,即只能在單一外場下實(shí)現(xiàn)單一的功能。但單一功能難以適應(yīng)當(dāng)今技術(shù)發(fā)展的要求。因此,在單一器件上,實(shí)現(xiàn)多物理場的調(diào)控,并實(shí)現(xiàn)對太赫茲波的多功能調(diào)控,是當(dāng)前太赫茲技術(shù)的發(fā)展前沿之一,也是實(shí)際應(yīng)用的現(xiàn)實(shí)需求。有鑒于此,該團(tuán)隊(duì)基于VO2的絕緣-金屬相變,通過將VO2與金屬非對稱開口諧振環(huán)結(jié)合,設(shè)計(jì)了一種太赫茲波段的多功能可調(diào)諧復(fù)合超表面,并利用國家同步輻射實(shí)驗(yàn)室副研究員鄒崇文提供的高質(zhì)量VO2薄膜,通過刻蝕、光刻等工藝制備了器件。此復(fù)合超表面能夠通過加熱和施加電流的方式實(shí)現(xiàn)對透射太赫茲波的振幅調(diào)控,絕對調(diào)制深度高達(dá)54%,品質(zhì)因數(shù)高達(dá)138%。基于VO2在相變過程中的回滯特性,該復(fù)合超表面可以通過電流觸發(fā)實(shí)現(xiàn)室溫下對太赫茲波的記憶存儲功能。此外,利用超快強(qiáng)脈沖泵浦,此復(fù)合超表面還能實(shí)現(xiàn)對太赫茲波的超快調(diào)控。從而,在單一器件實(shí)現(xiàn)了對太赫茲波的多功能調(diào)控。相關(guān)研究成果近日在《先進(jìn)光學(xué)材料》期刊上線。

  此外,很多材料在太赫茲波段的響應(yīng)仍是未知的,而只有研究清楚了各類材料與太赫茲波相互作用的特性,設(shè)計(jì)主動太赫茲器件才能有跡可循。該團(tuán)隊(duì)利用自行搭建的兩套太赫茲系統(tǒng)測量并分析了量子功能材料與太赫茲波的相互作用。重點(diǎn)研究了不同周期數(shù)的La0.7Sr0.3MnO3/ SrTiO3超晶格薄膜的太赫茲響應(yīng),發(fā)現(xiàn)了532 nm連續(xù)激光的泵浦對此超晶格在太赫茲波段的介電常數(shù)具有較大的調(diào)控作用,并通過Drude-Lorentz模型的擬合對此現(xiàn)象進(jìn)行了微觀機(jī)理的解釋,這為尋找新的可用于太赫茲主動調(diào)控器件的功能材料開辟了新路徑。相關(guān)研究成果發(fā)表在《光學(xué)快訊》[Opt. Express. 26, 7842 (2018)]上。

  上述論文的第一作者為合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實(shí)驗(yàn)中心博士研究生蔡宏磊,通訊作者為黃秋萍、陸亞林。該工作得到了科技部、國家自然科學(xué)基金委、中科院和教育部等關(guān)鍵項(xiàng)目的資助。

硅介質(zhì)超表面器件示意圖以及其對太赫茲波超快調(diào)控的實(shí)驗(yàn)結(jié)果

金屬-VO2復(fù)合超表面器件示意圖及其電開關(guān)、光存儲功能的實(shí)驗(yàn)結(jié)果

La0.7Sr0.3MnO3/ SrTiO3超晶格薄膜在太赫茲波段的介電常數(shù)和激發(fā)光功率關(guān)系



 
 
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