化學(xué)氣相沉積法CVD（Chemical Vapor Deposition）是近年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術(shù)。此方法是利用氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的物質(zhì)在固體表面上進行化學(xué)反應(yīng)，從而形成所需要的固態(tài)薄膜或涂層的過程。其中，用氫氣還原鹵化物來制備各種金屬或多晶硅薄膜是最為常用的化學(xué)反應(yīng)，此還原反應(yīng)的方法應(yīng)用范圍廣泛，可制備單晶、多晶以及非晶薄膜，另外也容易摻雜。

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作為反應(yīng)中必不可少的還原氣體，氫氣在CVD反應(yīng)中扮演著極其重要的作用。通常實驗室如今還在使用傳統(tǒng)的氫氣鋼瓶作為氫氣氣源，但是氫氣鋼瓶不僅搬運、使用不便，而且氫氣是易燃易爆氣體，存在極大的安全隱患。因此，氫氣發(fā)生器便成為了代替氫氣鋼瓶的優(yōu)質(zhì)選擇。如今，Peak氫氣發(fā)生器已廣泛應(yīng)用于CVD實驗，是化學(xué)氣相沉積應(yīng)用的可靠的氫氣氣源。

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應(yīng)用優(yōu)勢：

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1.高純度

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作為反應(yīng)中必不可少的還原氣體，高純度氫氣在CVD反應(yīng)中扮演著極其重要的作用。

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氫氣中微量氧或水蒸氣等雜質(zhì)會對沉積過程產(chǎn)生很大影響，當(dāng)有氧存在時，沉積物的晶粒劇烈生長，并伴有分層現(xiàn)象出現(xiàn)。

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Peak氫氣發(fā)生器采用三重過濾技術(shù)，所產(chǎn)氫氣純度＞99.9999%，氧氣含量< 1ppm，水含量< 1ppm，過濾技術(shù)及氫氣純度都為市場領(lǐng)先。

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Peak高純氫氣發(fā)生器

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2.安全性

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Peak氫氣發(fā)生器因其即產(chǎn)即用、按需供給的特點，成為極為安全、可靠的氫氣氣源。

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Peak氫氣發(fā)生器采用PEM質(zhì)子交換膜電解純水的原理產(chǎn)生高純氫氣，無需添加堿液，即插即用，使用方便，而且具有開機自檢、壓力報警等特性，全面保障發(fā)生器的安全性。

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