硅晶圓片

隨著半導(dǎo)體、微電子行業(yè)的發(fā)展，硅片的用途越來(lái)越廣泛。比如半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域、X射線晶體分析、磁控濺射樣品生長(zhǎng)、原子力、紅外光譜測(cè)試分析、PVD/CVD鍍膜襯底等。我們提供各種不同直徑、厚度、電阻、級(jí)別和應(yīng)用場(chǎng)景的硅片，請(qǐng)將您的參數(shù)要求發(fā)給我們，如有疑難，也請(qǐng)聯(lián)系我們。

哪里可以快速買到硅片作為基片，當(dāng)然是這里！我們主要為國(guó)內(nèi)的科研院所、高校提供高品質(zhì)的硅片襯底，高純拋光的硅基底也能夠提供。

選型指導(dǎo)：

特性

產(chǎn)品描述

常規(guī)硅片直徑

1 、2 、3 、4 、5 、6 、8 、10 、12

厚度

50um至10000um

超薄硅片直徑

5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm

超薄硅片厚度

2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm

表面粗糙度

Prime Grade wafer Ra 5? .

摻雜類型

P型、N型、無(wú)摻雜

晶向

〈100〉± 0.5°;〈110〉±0.5°;〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°

表面處理

拋光、刻蝕、ASCUT；單面/雙面處理

電阻率

0~至 20000 (Ω·cm)

級(jí)別

Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade

產(chǎn)品舉例：

產(chǎn)品描述

尺寸舉例

規(guī)格

多孔硅晶圓，Porous silicon wafer

76.2mm

10片

無(wú)摻雜硅晶圓，undoped silicon wafer

100mm

10片

氮化硅膜硅晶圓，Silicon Nitride Wafer LPCVD   PECVD

100mm

10片

FZ區(qū)硅晶圓片，F(xiàn)loat   Zone Silicon Wafer

25.4mm

10片

熱氧化處理硅晶圓片Thermal Oxide Wafer

76.2mm

25片

超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers

6″

5片

太陽(yáng)能硅晶片，Solar Silicon Cells

6″，5″

25片

外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer

100mm

10片

N型硅晶圓片，N-Type   Silicon Substrates

100mm

100片

各種硅晶片

我們致力于為客戶提供全面的硅片（Silicon Wafer）解決方案，從測(cè)試級(jí)硅片（Test Wafer）到產(chǎn)品級(jí)硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、鍍鋁硅片、鍍銅硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆蓋50mm-300mm。

對(duì)于2D材料的研究，軟光刻硅片，直接放射性核電實(shí)驗(yàn)，等離子體刻蝕硅片，以及微流控芯片平臺(tái)的建立，我們均有成功的經(jīng)驗(yàn)。

小常識(shí)：

將某一特定晶向的硅種子(種子,通常為一小的晶棒)棒插入熔融液態(tài)硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和種子相同晶向的晶柱就被生產(chǎn)出來(lái)。將晶柱切割成多個(gè)一定厚度的圓片片,通常稱呼的wafer就被制造出來(lái)了。初步切割出來(lái)的wafer表面，通常比較粗糙,無(wú)法用作晶圓生產(chǎn)，因而通常都在后續(xù)工藝中進(jìn)行拋光，拋光片的名詞就由此而來(lái)。針對(duì)不同晶圓制造要求，通常需要向粗制晶圓內(nèi)摻雜一些雜質(zhì)，如P、B等，以改變其電阻值,因而就有了低阻、高阻、重?fù)降让~。鍍膜片可以理解為外延片Epi，是針對(duì)特定要求的半導(dǎo)體裝置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如絕緣體上Si(SOI)等。

用Czochralski(CZ)晶體生長(zhǎng)法或浮區(qū)（floatzone）（FZ）生長(zhǎng)法生成單晶硅。超大規(guī)模集成電路應(yīng)用更多采用Czochmlski硅，因?yàn)樗菷Z材料有更多的耐熱應(yīng)力能力，而且它能提供一種內(nèi)部吸雜的機(jī)械裝置，該裝置能從硅片表面上的器件結(jié)構(gòu)中去除不需要的雜質(zhì)。因?yàn)槭窃诓慌c任何容器或坩堝接觸的情況下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的純度（從而有更高的電阻率）。器件和電路所需的高純起始材料（如高壓，高功率器件）一般都用FZ硅。

我們的低應(yīng)力PECVD氮化是一個(gè)單面膜，已優(yōu)化為晶圓需要最小的熱處理。因?yàn)榈蛻?yīng)力PECVD氮化物是在低溫下沉積的，它提供了更大的靈活性，可以沉積在任何其他薄膜上。

我們提供獨(dú)立式超薄超平硅片，厚度從5μm到100μm不等，直徑從5毫米到6英寸。薄硅片是真正的鏡面光潔度DSP，良好的表面平整度，無(wú)霧，無(wú)空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。

我們的單晶太陽(yáng)能硅片的效率高達(dá)19.5%。什么是太陽(yáng)能效率，陽(yáng)光光子擊中太陽(yáng)能晶片在一個(gè)特定的空間的百分比。更高的效率意味著發(fā)電所需的比表面積更小。因此，小型屋頂將希望使用更高的效率面板，以彌補(bǔ)較小的表面積。

硅晶圓片（硅片）信息由海德創(chuàng)業(yè)（北京）生物科技有限公司為您提供，如您想了解更多關(guān)于硅晶圓片（硅片）報(bào)價(jià)、型號(hào)、參數(shù)等信息，歡迎來(lái)電或留言咨詢。除供應(yīng)硅晶圓片（硅片）外，海德創(chuàng)業(yè)（北京）生物科技有限公司還可為您提供氧化鋁磨料系列、高級(jí)精密晶圓刻刀（劃線器or劃線筆）、晶圓刻刀套裝等產(chǎn)品，公司有專業(yè)的客戶服務(wù)團(tuán)隊(duì)，是您值得信賴的合作伙伴。