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KRI 考夫曼離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源,適用于離子濺鍍,離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 離子源 RFICP 220 配有離子光學元件,可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現(xiàn)完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務. 標準配置下離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.
KRI 考夫曼離子源 RFICP 220 技術參數(shù)：
KRI 考夫曼離子源 RFICP 220 應用領域：
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE 其他產(chǎn)品
電話：+86-21-5046-3511
郵箱：ec@hakuto-vacuum.cn
地址：上海市浦東新區(qū)
新金橋路1888號36號樓7樓702室
201206
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