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ICP刻蝕 NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機(jī)
NRE-4000（ICPM）ICP刻蝕機(jī)概述：是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果?？蓪?shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。NRE-4000（ICPM
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2025-01-23 |
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刻蝕設(shè)備 NDR-4000（A）全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕
NDR-4000（A）全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕概述：全自動(dòng)上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8 ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。NDR-4000（A）全自動(dòng)DRIE深反應(yīng)離子刻蝕主要特點(diǎn)：基于PC控制的緊湊
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2025-01-23 |
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