核心提示：IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做絕緣柵極雙極晶體管。這種器件具有MOS門極的高速開關(guān)性能和雙極動(dòng)作的高耐壓、大電流容量的兩種特點(diǎn)。其開關(guān)速度可達(dá)1mS，額定電流密度100A/cm2，電壓驅(qū)動(dòng)，自身損耗小。其符號和波形圖如下圖所示。IGBT可以耐高壓、大電流，常以一個(gè)單元、二個(gè)單元、六個(gè)單元裝在一個(gè)芯片上，下圖給出一、二、六單元在一個(gè)硅片上的等效電路。 關(guān)注本網(wǎng)官方微信 隨時(shí)閱讀專業(yè)資訊