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RTP-100 VH (高)真空快速退火爐RTP-100-91化工儀器網(wǎng)

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放大字體  縮小字體    發(fā)布日期:2019-09-02  來(lái)源:儀器信息網(wǎng)  作者:Mr liao  瀏覽次數(shù):716
核心提示:First-Nano System GmbH2003年 創(chuàng)立于德國(guó)德累斯頓工業(yè)大學(xué)(Dresden University of Technology)2008年香港成立德國(guó)韋氏納米系統(tǒng)(香港)有限公司2015年上海成立德國(guó)韋氏納米系統(tǒng)(香港)有限公司中國(guó)代表處,負(fù)責(zé)中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)2018年 深圳正式成立韋氏納米系統(tǒng)(深圳)有限公司,更好的為中國(guó)南方區(qū)市場(chǎng)德國(guó)韋氏納米系統(tǒng)成立以來(lái),一直為客戶想的更多,Thinking more !??!產(chǎn)品范圍:薄膜沉積/Thin Film DepositionE-Beam an

First-Nano System GmbH 

2003年   創(chuàng)立于德國(guó)德累斯頓工業(yè)大學(xué)(Dresden University of Technology)

2008年 香港成立德國(guó)韋氏納米系統(tǒng)(香港)有限公司 

2015年 上海成立德國(guó)韋氏納米系統(tǒng)(香港)有限公司中國(guó)代表處,負(fù)責(zé)中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)

2018年  深圳正式成立韋氏納米系統(tǒng)(深圳)有限公司,更好的為中國(guó)南方區(qū)市場(chǎng)

 

德國(guó)韋氏納米系統(tǒng)成立以來(lái),一直為客戶想的更多,Thinking more ?。。?/p>

 

產(chǎn)品范圍:

薄膜沉積/Thin Film Deposition 
E-Beam and Thermal Evaporation, PECVD, PLD, DLC, DC RF Sputtering, Ion Beam Sputtering
刻蝕/Etching
RIE, DRIE, ICP, Ion Beam Milling, RIBE, Plasma, ALE
薄膜制程/Growth
ALD, PA-MOCVD, CNT, Graphene
表面處理/Surface Treatment
Ion Beam, PIII, Plasma Cleaner, RTP
清洗/Cleaning
- Dry: Ion Beam, Plasma Cleaner
- Wet: Megasonic, 杜邦EKC清洗液
其他/Other,
Device Testing System for Space Simulation, Heated Platens, Plasma Sources, Resist Stripping Systems


應(yīng)用領(lǐng)域:

離子注入/接觸退火;

快速熱處理(RTP),快速退火(RTA),快速熱氧化(RTO),快速熱氮化(RTN);

可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同氣體氛圍環(huán)境下使用;

SiAu, SiAl, SiMo合金化;

低介電材料;

晶體化,致密化;

太陽(yáng)能電池片鍵合;

電阻燒結(jié)

其他熱工藝需求

等等...

 

 

產(chǎn)品特點(diǎn):

- 真空快速退火爐,有RTP-100型號(hào)  低真空(10-3 hPa)

 RTP-100-HV  高真空(10-6 hPa);

- 可應(yīng)用在不同氣氛環(huán)境下使用,如惰性氣體、氧氣、氫氮混合氣等;

- 控制方式:SPS人機(jī)界面控制,7英寸觸摸屏控制;

- 可存儲(chǔ)50個(gè)程序,每個(gè)程序最多分為50步驟控制;

- 全自動(dòng)智能控制,包括溫度、時(shí)間、氣體流量、真空度、冷卻水均可自動(dòng)設(shè)置;

- 優(yōu)異的溫控均勻性,極佳的工藝重復(fù)性;

 

技術(shù)規(guī)格:

- 最高溫度:1200℃;

- 升溫速率:150℃/秒;

- 降溫速度:200℃/分鐘 (1000℃-- 400℃);

- 溫控均勻性:  1.5%設(shè)定溫度;

- 加熱方式:紅外鹵素?zé)簦敳考暗撞考訜?,也可單?dú)控制加熱

- 燈管數(shù)量及功率:18支/20KW

- 腔體冷卻:水冷方式,獨(dú)立冷卻源

- 襯底冷卻:氮?dú)獯祾撸?/p>

- 工藝氣路:MFC控制,最多4路 (氮?dú)?、氬氣、氧氣、氫氮混合氣?;

 
關(guān)鍵詞: 控制 快速 真空 氧氣 加熱
 
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