PL光譜測(cè)量分析技術(shù)簡(jiǎn)介-微熒光顯微鏡

微熒光光譜量測(cè)分析技術(shù)

PL光譜已經(jīng)是一個(gè)相當(dāng)成熟的非破壞性量測(cè)技術(shù)。透過(guò)PL光譜的分析，可檢測(cè)發(fā)光半導(dǎo)體中許多材料特征，
如能隙大小、雜質(zhì)活化能或化合物半導(dǎo)體的組成等特性，進(jìn)而與其他檢測(cè)技術(shù)交叉比對(duì)。
當(dāng)入射光能量高于材料之能隙時(shí)，價(jià)帶(valence band)中的電子受到激發(fā)而躍升至導(dǎo)帶(conduction band)，

形成電子-電洞對(duì)(electron-hole pair)。當(dāng)電子與電洞再次複合時(shí)，會(huì)產(chǎn)生熒光，稱為輻射性複合。

此外，電子與電洞也可能以非放光方式將能量釋出，亦稱為非輻射性複合。
當(dāng)導(dǎo)帶中的電子與價(jià)帶中的電洞彼此因庫(kù)倫作用力而束縛在一起時(shí)，稱之為激子(exciton)。由于激子具有束縛能，
會(huì)導(dǎo)致其複合時(shí)的能量將小于能隙的躍遷能量。