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硅濃度分層分析數(shù)據(jù)專業(yè)用顯微分析專業(yè)顯微鏡

  純鐵滲硅時(shí)，加熱速度的有利影響表現(xiàn)得有些不同。在
以3000℃/s的速度加熱時(shí)，邊界反向位移比用100℃/s的逮
度加熱時(shí)大約大3倍。雖然氣孔率水平較低，但反向位移沒
有提前開始。

  α底層中的濃度梯度。45綱的底層增長期間，在加熱速度
比較快時(shí)，濃度梯度較小。在燒結(jié)階段，隨著加熱速度增加，
由于硅含量增加和底層尺寸減小，濃度梯度顯著增加。

高的加熱速度可以得到更薄的底層和高的硅含量。

  正如曾經(jīng)指出過的，電加熱不會引起滲層中硅濃度分布
原則性的變化。在顯微分析器上得到的硅濃度分層分析數(shù)據(jù)
是這一結(jié)論的依據(jù)。但是，硅和鐵的總含量小于100%的
這一不足可能和存在碳有關(guān)。在滲硅過程開始時(shí)這一差額比
較可觀，在滲層燒結(jié)期間尤其大（百分之幾)，而在以后期
間這一“赤字”不很大。45鋼用100℃/s和3000℃/s的速度
加熱，在1000℃滲硅時(shí)的濃度關(guān)系曲線具有這樣的特點(diǎn)。

  指出過共析鋼氣體滲硅時(shí)，在滲層中出現(xiàn)石墨
_夾雜，在用電加熱氣體滲硅時(shí)，也可能存在石墨。其證據(jù)是用
某些規(guī)范電加熱滲硅時(shí)，在表面層中有黑色區(qū).

黑色區(qū)的消失，相當(dāng)于氣孔率曲線上的最小值?？磥?，滲層的燒
結(jié)，伴隨著碳從這些區(qū)域擴(kuò)散(可能向滲層中的氣孔和試祥心
部擴(kuò)散)。在電加熱時(shí)，因?yàn)樵黾恿藠W氏體中缺陷的濃度，為
阻止碳留在表面區(qū)創(chuàng)造了條件:在開始期間，許多鐵以氯化物
氣體的形式消耗掉;碳的濃度在燒結(jié)階段增加一倍，這
可能是由于伴隨著硅的反應(yīng)擴(kuò)散，碳也反向擴(kuò)散所造成的。

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