晶體微粒顯微表面形貌特征分析圖像技術(shù)

  金屬離子不是在任意地點(diǎn)都可以進(jìn)入到晶體中的。顯微表面是
由具有不同表面自由能的區(qū)域組成的。作為一條規(guī)則，僅活性區(qū)域
(如具有最高比表面自由能)構(gòu)成粒子進(jìn)入金屬晶格的人口。相對于
可以提供晶格位置的總數(shù)來講，這些活性點(diǎn)的數(shù)量在正常情況下是
相當(dāng)少的作為生長邊的一個單晶核，它對后來達(dá)到其表面的原子最
有吸引力。第二個最有吸引力的位置是在基體的晶體結(jié)構(gòu)中沿臺階
生長的方向。從能量角度講，完成一晶體層比形成新的一晶體層更
有利。最不具有吸引力的位置是開始形成一個新的晶核。因此，一
個晶體不是由任意拾取的原子或分子構(gòu)成的，而是呈現(xiàn)周期性并且
按晶格平面連續(xù)排列。為連接到一個生長位置，金屬離子僅用相對
較少的能量，可是，它必須通過表面能夠遷移到這一點(diǎn)。
  如果最初吸附的金屬離子不能到達(dá)任何生長的位置，這是由于
僅靠擴(kuò)散不能遷移到這樣的地點(diǎn)，或由于它不能被這樣一點(diǎn)所接納
(由于這一點(diǎn)已經(jīng)被另一個反應(yīng)物占據(jù))，那么一個新的晶核會偶爾
形成?？墒切纬梢粋€新晶核比安排金屬離子在一個周期生長的位置
需要更高的能量，這些可以從結(jié)晶極化的高度來看。
  抑制劑影響電流電位并且經(jīng)常引起強(qiáng)烈的極化。所有電解液的
組分，名義上有機(jī)的或膠體微粒物質(zhì)及一些電極反應(yīng)的反應(yīng)物都能
引起抑制。像電解液濃度、酸化或所謂的導(dǎo)電鹽的加入都可以使增
長延遲。
  抑制劑通過臨時占據(jù)晶體上能量有利的位置，從而延遲了晶體
的生長并且降低了形核。金屬離子和抑制劑之間存在著能量有利位
置的競爭。由于抑制劑與基體間的結(jié)合力比金屬離子與基體間的結(jié)
合力低，最后金屬離子代替了抑制劑的位置。因此抑制劑不能置人
晶格中。需要注意的是晶格結(jié)構(gòu)可以臨時依靠抑制劑來控制，因此
晶體結(jié)構(gòu)可以被改變。
  作為各類過程的結(jié)果，必須詳細(xì)研究電解液中材料的傳輸機(jī)制
。在實(shí)際中，不同的作用機(jī)制相互競爭，并且最慢的過程決定著整
體的速度。被沉積的離子可以以下述三種方式傳輸?shù)诫姌O。

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