晶粒生長、沉積和晶粒間偏析結(jié)構(gòu)加工分析顯微鏡

  由熱應變引起相應的熱應力值，受彈性模量和屈服強度隨溫度
衰減的影響，另外還與能夠影響韌性和抗重復熱沖擊的多邊化、再
結(jié)晶、恢復退火、晶粒生長、沉積和晶粒間偏析等結(jié)構(gòu)改變有關(guān)。
由15A電流引起的最大溫升約為10℃的量級值，對材料(導線)的性
能和結(jié)構(gòu)不可能產(chǎn)生明顯改變。另一種可能是在循環(huán)過程中，導線
的熱膨脹使接觸應力增大，造成處于擠壓狀態(tài)下的接觸區(qū)域加工硬
化。因為加工硬化會提高松弛速度，所以這種情況會使應力松弛速
率增大。由于導線的熱膨脹產(chǎn)生的應力足以引起局部屈服，因此接
觸區(qū)域會發(fā)生加工硬化。
  還有一種觀點是電流對應力松弛的作用和電塑性有關(guān)。正如引
言中所說，大量研究已證實，在電場的作用下流動應力、蠕變、和
應力松弛等力學性能會發(fā)生明顯的改變。
  必須強調(diào)的一點是，無論電流作用于應力松弛的詳細機理是怎
樣的，這一作用都極有可能與電場和結(jié)構(gòu)缺陷，特別是位錯的相互
作用有關(guān)?？紤]到這些因素，以及電流循環(huán)的動態(tài)特性，后面將給
出一個簡單的模型來描述電流循環(huán)對應力松弛的影響。
  通常金屬的應力松弛與排列、密度、位錯運動以及它們與其他
結(jié)構(gòu)缺陷的相互作用等因素有關(guān)，這些結(jié)構(gòu)缺陷包括晶界和二次晶
界、雜質(zhì)、溶解物、沉淀物等。因此當電流流經(jīng)導線時不僅會引起
生熱及熱膨脹，還會減弱位錯和阻礙位錯運動的障礙之間的約束力
，而這一阻礙僅靠單一熱作用是無法克服的。結(jié)果減緩了成核及位
錯的成倍增長，并提高了移動位錯的密度，改變了位錯在材料中的
排列。
  在導線中重復施加電流(循環(huán)電流)，將位錯更多地從阻塞缺陷
中釋放出來，增強移動性，降低材料中位錯密度，這將加快應力松
弛速度。
  應該指出，這一模型并沒有將溫度的影響排除在外，而是由于
流經(jīng)電流產(chǎn)生的熱量相對較低，單一的熱作用不能對位錯運動的動
態(tài)特性和材料中位錯的排列產(chǎn)生明顯影響。
  對于蠕變的情況，塑性形變的基本過程可以用與位錯動態(tài)特性
和粘滯擴散流動相關(guān)的現(xiàn)象來描述。后者發(fā)生在溫度接近熔點的情
況。在中溫和施加較低壓力時蠕變速度會逐漸減小直至為零，這一
過程可用對數(shù)定律表示

(本文由上海光學儀器廠編輯整理提供, 未經(jīng)允許禁止復制http://www.sgaaa.com)