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KRI 考夫曼離子源 RFICP 100
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設(shè)計(jì), 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出 400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10 CF 法蘭, 在離子濺鍍時(shí), 離子源配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學(xué)配合, 蝕刻更均勻. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 400 mA.
KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 技術(shù)參數(shù)：
KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE 其他產(chǎn)品
電話：+86-21-5046-3511
郵箱：ec@hakuto-vacuum.cn
地址：上海市浦東新區(qū)
新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室
201206
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