手機(jī)版|
二維碼|
KRI 考夫曼離子源 KDC 100
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 100 中型規(guī)格柵極離子源, 廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產(chǎn)設(shè)備中, 考夫曼離子源 KDC 100 采用雙陰極燈絲和自對(duì)準(zhǔn)柵極, 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 400 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 100 技術(shù)參數(shù)：
KRI 考夫曼離子源 KDC 100 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE 其他產(chǎn)品
電話：+86-21-5046-3511
郵箱：ec@hakuto-vacuum.cn
地址：上海市浦東新區(qū)
新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室
201206
詳細(xì)資訊
