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NRE-4000（M）反應(yīng)離子刻蝕概述：
NRE-4000是一款獨(dú)立式RIE系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過(guò)濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶Formblin泵油).RF射頻功率通過(guò)600W,13.56MHz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500V.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
該系統(tǒng)是基于PC控制的全自動(dòng)系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實(shí)時(shí)顯示,流量及功率則以數(shù)字形式實(shí)時(shí)顯示.系統(tǒng)提供密碼保護(hù)的四級(jí)訪(fǎng)問(wèn)功能:操作員級(jí)、工程師級(jí)、工藝人員級(jí),以及維護(hù)人員級(jí).允許半自動(dòng)模式(工程師模式)、寫(xiě)程序模式(工藝模式), 和全自動(dòng)執(zhí)行程序模式(操作模式)運(yùn)行系統(tǒng)?；谌詣?dòng)的控制，該系統(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。
NRE-4000（M）反應(yīng)離子刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)：
鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體
不銹鋼立柜
能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬
典型的硅刻蝕速率，400 ?/min
高達(dá)12”的陽(yáng)極氧化鋁RF樣品臺(tái)
水冷及加熱的RF樣品臺(tái)
大自偏壓
淋浴頭氣流分布
極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6Torr級(jí)別
渦輪分子泵
至多支持8個(gè)MFC
無(wú)繞曲氣體管路
自動(dòng)下游壓力控制
雙刻蝕能力支持：RIE以及PE刻蝕（可選）
終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
氣動(dòng)升降頂蓋
手動(dòng)上下載片
基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪(fǎng)問(wèn)保護(hù)
完全的安全聯(lián)鎖
可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺(tái)，用于深硅刻蝕
NRE-4000（M） Features：
Aluminum or Stainless Steel Chamber
Stainless Steel Cabinet
Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals
Typical Si etch rate, 400 ?/min
Up to 12“ Anodized RF Platen
Water Cooled and Heated RF Platen
Large Self Bias
Shower Head gas distribution
Approximay 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressure
Turbomolecular Pump
Up to eight MFCs
No flexing of gas lines
Down Stream Pressure Control
Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）
End Point Detection
Pneumatically Lifted Top
Manual loading/unloading
PC Controlled with LabVIEW
Recipe Driven, Password Protected
Fully Safety Interlocked
Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch
